sram存储器总剂量效应研究

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1、万方数据目录1目录第一章绪论................................................................................................................11.1研究背景.............................................................................................................11.1.1SRAM简述..........................

2、.........................................................................11.1.2SRAM最新发展............................................................................................21.2空间环境及辐照效应分析..................................................................................21.2.

3、1空间环境......................................................................................................21.2.2辐射效应......................................................................................................31.3SRAM的总剂量效应研究现状............................................

4、..............................41.3.1国外研究现状...............................................................................................41.3.2国内研究现状...............................................................................................51.4论文主要工作和组织安排......................

5、............................................................6第二章辐射损伤机理.................................................................................................72.1Si-SiO2界面电荷.................................................................................................72

6、.1.1可动离子电荷...............................................................................................72.1.2界面陷阱电荷...............................................................................................82.1.3氧化层固定电荷........................................................

7、...................................92.1.4氧化层陷阱电荷...........................................................................................92.2SiO2介质材料辐射损伤机理............................................................................102.2.1电子-空穴对...................................

8、.................................