新型晶圆制造材料

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划新型晶圆制造材料　　晶圆制造工艺流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。　　常压CVD(NormalPressureCVD)　　低压CVD(LowPressureCVD)　　热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)　　电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)　　MOCVD(MetalOrganicC

2、VD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)　　外延生长法(LPE)　　4、涂敷光刻胶　　光刻胶的涂敷　　预烘(prebake)　　曝光　　显影　　后烘(postbake)　　腐蚀(etching)　　光刻胶的去除目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划新型晶圆制造材料　　晶圆制造工艺流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　

3、3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。　　常压CVD(NormalPressureCVD)　　低压CVD(LowPressureCVD)　　热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)　　电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)　　MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)　　外延生长法(LPE)　　4、涂敷光刻胶　　光刻胶的涂敷　　预烘(prebake)　　曝光　　显影　　后烘(postb

4、ake)　　腐蚀(etching)　　光刻胶的去除目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划新型晶圆制造材料　　晶圆制造工艺流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。　　常压CVD(NormalPressureCVD)　　低压CVD(Low

5、PressureCVD)　　热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)　　电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)　　MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)　　外延生长法(LPE)　　4、涂敷光刻胶　　光刻胶的涂敷　　预烘(prebake)　　曝光　　显影　　后烘(postbake)　　腐蚀(etching)　　光刻胶的去除目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应

6、公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　5、此处用干法氧化法将氮化硅去除　　6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱　　7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理　　8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱　　9、退火处理，然后用HF去除SiO2层　　10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成

7、PN之间的隔离区　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。　　14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。　　15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障

8、停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。　　17、沉积掺杂硼磷的氧化层　　18