材料科学基础,位错

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划材料科学基础,位错　　理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。其中晶体缺陷包括3种：点缺陷、线缺陷和面缺陷。　　位错是典型的线位错，有刃型位错、螺旋位错。晶体中沿某一条线附近的原子排列偏离了理想的晶体点阵结构，从而在一维方向上构成一定尺度的结构缺陷

2、。这种缺陷只在一个方向上延伸，又称为一维缺陷。　　位错对半导体的影响有以下四方面：　　1.位错可起一定的施主和受主作用：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　Si、Ge中的60o棱位错存在有一串悬挂键,可以接受电子而成为一串负电中心,起受主作用，也可以失去电子而成为一串正电中心,起施主作用；这些受主或施主串形成的能级实际上组成一个一维的很窄的能带。不过,单纯的位错即使浓度达到105/cm

3、2,它所提供的载流子浓度也只是约1012/cm3，故对半导体的导电性能的影响实际上不大；但是,当位错密度较高时,它将对n-型半导体中的施主有补偿作用,使电子浓度降低。　　注解：　　60o棱位错：半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度棱位错。因为在(111)晶面内，位错线的方向是方向，该方向与晶面滑移方向互相构成60度的夹角，故有60度棱位错之称。　　悬挂键：一般晶体因晶格在表面处突然终止，　　在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。　　位错密度：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米　　2.位错是散射载流子的中心：　　位错除

4、了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响迁移率;不过在位错密度移，但实际上只能　　在与原滑移面相交于位错线的fcc密排面上交滑移。　　故柏氏矢量为a[-110]/2的螺型位错只能在与相交于[-110]的{111}面上交滑移，利用晶体学知识可知柏氏矢量为的螺型位错能在(-1-11)面上交滑移　　在fcc晶体的(-111)面上，全位错的柏氏矢量有哪些？如果目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正

5、常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　它们是螺型位错，能在哪些面上滑移和交滑移？　　如图可知。fcc晶体的(-111)[面上全位错的柏氏矢量有　　a[101]/2、a[110]/2和a[0-11]/2，它们是螺型位错能在原　　滑移面(-111)面上滑移.　　理论上能在任何面上交滑移，但实际上在与原滑移面相　　交于位错线的fcc密排面上滑移。故柏氏矢量为　　a[110]/2的螺型位错只能在与相交于[110]的{111}面上交滑　　移，利用晶体学知识可知柏氏矢量为a[110]/2的螺型位错　　能在(1-11)面上交滑移。　　九、面心立方晶体中，在(111)面上的单

6、位位错a[-110]/2，　　在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出：　　Gb2ds　　?2??　　位错反应：a[-110]/2→a[-12-1]/6+a[-211]/6　　当两个肖克莱不全位错之间排斥力F＝γ时，位错组态处于平衡，故依据位错之间相互作用力，F＝Gb1b2/2πd＝γ可得。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　十

7、、在面心立方晶体中，晶面和晶面上分别形成一个扩展位错：　　(111)晶面：a[10-1]/2→a[11-2]/6+a[2-1-1]/6　　(11-1)晶面：a[011]/2→a[112]/6+a[-121]/6　　试问：(1)两个扩展位错在各自晶面上滑动时，其领先位错相遇发生位错反应，求出新位错的柏氏矢量；(2)用图解说明上述位错反应过程；(3)分析新位错的组态性质　　解答：(1)位错在各自晶面上滑动时，领先位错相遇，设领先位错为(