茂捷m5835兼容士兰微sd6854

茂捷m5835兼容士兰微sd6854

ID:28903679

大小:349.50 KB

页数:6页

时间:2018-12-14

茂捷m5835兼容士兰微sd6854_第1页
茂捷m5835兼容士兰微sd6854_第2页
茂捷m5835兼容士兰微sd6854_第3页
茂捷m5835兼容士兰微sd6854_第4页
茂捷m5835兼容士兰微sd6854_第5页
资源描述:

《茂捷m5835兼容士兰微sd6854》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、实用标准文案描述M5835是一种高性能离线式PWM控制器,主要用于中小功率AC/DC充电器和适配器中。它工作于原边采样和调节,可省除极间光耦和TL431,其恒压和恒流控制特性说明如下图。最大输出功率可达15W。在恒流控制时,其电流和输出功率的设定可由SEN脚上的电流取样电阻Rs来调节;在恒压控制时,利用混合工作模式可以获得高效率和高性能。另外,利用内部的导线压降补偿功能可以得到良好的负载调整特性。在恒流模式重负载工作条件下,器件工作在PFM模式,中负载和轻负载,器件可工作在PWM模式和降频模式。特征全电压范围内,恒压调节精度误差<5%,

2、恒流调节精度误差<5%☛原边采样和调节,无需光耦和TL431☛可编程CV和CC调节☛可设定恒流和输出功率☛内置原边反馈恒流控制☛内置自适应峰值电流调节☛内置原边变压器电感补偿☛可外部调整的输出线压降补偿☛开机软启动☛内置MOS开关管☛内置前沿消隐电路(LEB)☛可逐周期电流限制☛带有回差的欠压锁定(UVLO)☛VDD过压保护(OVP)☛VDD箝位功能应用领域适用于中小功率AC/DC离线式开关电源☛手机充电器☛数码相机充电器☛小功率适配器☛PC、TV等电器的辅助电源☛线性调节器/替代RCC变换器☛恒流LED照明精彩文档实用标准文案典型应用

3、图图1典型应用图型号封装单电压180-264V全电压85-264V开放式封闭式开放式封闭式M5835SOP-84W3.5W3.5W3WM5836DIP-89W8W8W7.5WM5838DIP-818W13.5W13.5W12W引脚功能描述管脚描述VDD芯片电源输入COMP误差放大器输出,用于环路补偿INV电压检测,外接分压电阻检测辅助绕组电压,调整芯片恒压恒流SEN电流检测输入,通过检测连接SEN到地电阻的电压来反映原边电感电流DRAIN内部MOS管漏极,连接到变压器GND地精彩文档实用标准文案引脚配置图2引脚配置图极限参数项目值单位最

4、小值最大值VDD直流供电电压-0.326VVDD齐纳嵌位电流10mACOMP输入电压-0.37VSEN输入电压-0.37VINV输入电压-0.37VOTP输入电压-0.37V最小/最大工作结温-20150℃最小/最大贮存温度-55165℃最高温度(焊接,10秒)260℃内置MOS管耐压值650V注:如果器件工作条件超出上述各项极限值,可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极限值,不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下,其可靠性及寿命可能受到影响。芯片框图图3芯片框图精彩文档实用标准文案应用信息M5

5、835是一颗高性价比开关电源芯片,用于低功耗离线式AC/DC电源适配器与电池充电器。芯片通过原边取样来进行输出电压的调整,由此可以节省光耦与TL431。M5835内置恒流/恒压控制电路,由此获得较高的恒流/恒压精度,可以满足绝大部分电源适配器与电池充电器的使用要求。由于具有恒流特性,因此也可以应用于LED市场。u启动电流和启动控制M5835的启动电流非常低,所以VDD端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的电阻,在满足启动要求的同时,减小工作时的损耗。u工作电流M5835的工作电流低至2.5mA,所以VDD启动电容

6、可以取更小值,同时借助于多工作模式的特点,可以提高整体效率。u软启动M5835内置有软启动功能,可以减少系统上电启动时各元器件的电压应力。当VDD电压达到UVLO(OFF)时,芯片内部电路会将峰值电流阈值电压逐渐提升,具体来说是由接近于0V提升至正常工作时的0.9V。芯片的每一次重启都会伴随着这个软启动过程。u恒流/恒压工作M5835在充电器应用中,未充电的电池首先在恒流状态下进行充电,当电池将要充满时,充电阶段会转换为恒压模式。在电源适配器的应用中,系统正常只工作于恒压状态。在恒流模式下,系统限定了输出电流,并且不论输出电压如何下降,

7、系统只确保输出电流恒定。而在恒压模式下,系统通过原边取样来进行输出电压的调整。u工作原理为了确保实现M5835的恒流/恒压控制,反激电源系统需要设计工作于断续模式(DCM)下,具体可以参见前面的典型应用图1。当反激系统工作于断续模式下,输出电压可以通过辅助线圈来取样。在功率MOSFET导通阶段,负载由输出端电容Co来提供,此时原边电流上升。当功率MOSFET关断时,原边电流按下述等式1.1向副边传递:辅助绕组电压如下式:通过在辅助线圈与INV(PIN3)之间设置电阻分压电路,辅助线圈的电压在每个消磁阶段将结束的时候被采样,并且这个采样电

8、压将会被保持直到下一个采样周期。采样电压与内部EA(误差放大器)的参考电压Vref(2.0V)进行比较,它们之间的误差将被放大。EA的输出端COMP反映了负载情况,这个脚上的电压也决定了PWM的开关频率,通

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。