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时间:2018-07-11
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1、概述:M8912是一款隔离式、单级有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片,适用于全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。M8912集成有源功率因数校正电路,具有很高的功率因数和较低的总谐波失真。工作在电感电流临界连续模式,功率MOS管处于零电流开通状态,减小开关损耗。M8912工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度输出恒流控制。特点:■内置单级有源功率因数校正,PF>0.9■原边反馈,无需光耦,TL431等器件■高性能的线电压调整率和负载调整率■±3%输出电流精度■内置650V功率MOSFET■启动电流(33uA)■INV反馈
2、电阻值高,功耗低■多重保护功能²LED开路/短路保护²电流采样电阻开路保护²逐周期原边电流限流²芯片供电过压/欠压保护²自动重启功能²过热调节功能■采用DIP-8封装应用:■LED球泡灯、射灯■LEDPAR灯■LED日光灯■其它LED照明典型应用:图1M8912典型应用图管脚描述:管脚名称管脚号管脚描述COMP1环路补偿点VDD2芯片供电INV3辅助绕组反馈信号采样端SEN4电流采样端,接采样电阻到地DRAIN5,6内部高压MOSFET的漏极GND7,8芯片信号和功率地极限参数:符号名称参数范围单位VDS内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压-0.3~
3、650VVDD电源电压-0.3~25VICC_MAXVDD引脚最大钳位电流5mACOMP环路补偿点-0.3~6VINV辅助绕组的反馈端-0.3~6VSEN电流采样端-0.3~6VPDMAX功耗(注2)0.9WθJAPN结到环境的热阻80℃/WTJ工作结温范围-40to150℃TSTG储存温度范围-55to150℃ESD(注3)2KV推荐工作范围:符号名称参数范围单位VDD电源电压8.5—18VVPout1输出功率(输入电压230V±15%)<18WPout2输出功率(85V—265V)<12W注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范
4、围指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。注2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注3:人体模型,100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。电气参数:Tc=25℃符号参数描述条件最小值典型值最大值单位电源电压VDD_ONVDD启动电压VD
5、D上升16.7VVDD_UVLOVDD欠压保护阈值VDD下降7.5VVDD_OVPVDD过压保护阈值19VVDD_CLAMPVDD钳位电压23VIcc_UVLOVDD关断电流VDD上升VDD=VDD_ON-1V3350uAIccVDD工作电流12mAINV反馈VINV_FALLINV下降阈值电压INV下降0.1VVINV_HYSINV迟滞电压INV上升0.08VVINV_OVPINV过压保护阈值1.6VTON_MAX最大导通时间25uSTOFF_MIN最小关断时间4.5uSTOFF_MAX最大关断时间100uS电流采样VSEN_LIMITSEN峰值电压限
6、制1.0VTLEB_SEN电路采样前沿消隐时间350nsTDELAY芯片关断延迟200ns环路补偿VREF内部基准电压0.1940.2000.206VVcomp_LOCOMP下钳位电压1.5VVCOMPCOMP线性工作范围1.53.5VVCOMP_OVPCOMP保护电压3.6V功率MOSFETRDS_ON功率MOSFET导通电阻VGS=10V/IDS=1A2ΩBVDSS功率MOSFET击穿电压VGS=0V/IDS=250uA650VIDSS功率MOSFET漏电流VGS=0V/VDS=650VuA过热调节TREG过热调节温度150℃注4:典型参数值为25˚
7、C下测得的参数标准。注5:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。芯片内部结构框图:图3M8912内部框图应用信息M8912是一款隔离式、原边反馈、单级有源功率因数校正LED恒流控制芯片,工作在电感电流临界连续模式,芯片可以实现很高的功率因数和高效率。启动系统上电后,经过整流后的电压通过启动电阻给VDD引脚的电容充电,当VDD电压上升到启动阈值电压后,芯片内部控制电路开始工作,COMP电压被上拉到1.5V,M8912开始输出脉冲信号,系统刚开始工作在10kHz开关频率,COMP电压从1.5V开始逐渐上升,原边峰值电流随之上
8、升,从而实现输出LED电流的软启动,有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后,V
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