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时间:2018-12-09
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1、word格式整理版设计文件名称EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工艺操作规程T-IS-026产品型号名称156×156多晶绒面电池共6页第1页1、工艺目的:通过化学反应,将硅片上下表面的PN结刻断,以达到正面与背面绝缘的目的;另外经过化学反应,刻蚀掉未被蜡覆盖的硅片表面的一定深度,做选择性发射极;最后用BDG去除inkjet工序中的喷涂的层蜡,用KOH药液去除硅片表面的多孔硅;同时用HF去除表面的磷硅玻璃层。2、设备及工具:EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter、电子天平、PV
2、C手套、口罩、防护服、防护眼罩、防护套袖、橡胶手套、防酸碱胶鞋、GPSolar电阻测试仪(边缘电阻)、浓度分析仪等。3、适用范围本工艺适用于EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter。4、职责本工艺操作规程由工艺工程师负责调试、修改、解释。5、材料:合格的多晶硅片(INKJET后)、HF(49%,电子级,工作压力3-5bar,KOH(49%,电子级,工作压力3-5bar)、HNO3(65%,电子级,工作压力3-5bar),DI水(工作压力3-5bar)、压缩空气(工作压力6-7bar,除油,除水,除粉尘),But
3、yldiglycol(2一(2一丁氧乙氧基)乙醇)(BDG)(100%,电子级,工作压力3-5bar),冷却水(入水:工作压力3-4bar,最大入水温度25°C,出水工作压力:最大2bar),新鲜空气(Freshair用于旋转器腔室)(工作压力100Pa),乙二醇(制冷机)。6、工艺描述:6.1、工艺条件:环境温度:+22°Cto+24°C;环境湿度:45to65%RHat范文范例学习指导word格式整理版24°C;设计文件名称EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工艺操作规程T-IS-026共6页第2页范文
4、范例学习指导word格式整理版6.2、工艺原理: EdgeIsolation&PSGSelectiveEmitter工艺主要包括三部分:HNO3+HF(周边刻蚀)-----HNO3+HF(刻蚀掉一定深度的未被蜡层覆盖的PN结)-----KOH+BDG+Antifoam(中和掉多余的酸以及去除硅片表面的的多孔硅和inkjet工序中喷涂的层蜡)-----HF(去除硅片表面的磷硅玻璃)。本工艺过程中,首先用滚轮将硝酸带出将滚轮与硅片接触的背面氧化,形成氧化硅后,然后氢氟酸与氧化硅反应生成络合物六氟硅酸(H2SiF6),刻断PN结,从而使正面
5、与背面绝缘。然后硅片经过喷淋HNO3+HF的混合药液,将未被inkjet层蜡覆盖的深PN结刻蚀掉一定深度,变成工艺要求的深度;选择性刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅,同时用BDG去除掉inkjet工序中喷涂的层蜡;最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃层去除;用DI水洗,压缩空气烘干硅片表面即可。主要反应方程式如下:M2和M4槽:Si+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6M6槽:暂无:6.3、工艺要求:1、刻蚀槽的刻蚀深度要控制在1.5±0.2um,绝缘电阻
6、大于1KΩ。超出此(小于1.1)范围要通知当班技术员进行调节,传送系统的速度范围控制在0.2-6.0m/min,正常工作状态下的工作速度为1.58m/min,为保证设备碎片率较稳定,应尽量使各段传输速度一致。当工艺稳定后每隔两个小时(有待确定)测量一次刻蚀深度和绝缘电阻。2、当刻蚀深度偏离规定时应当调节温度或带速,不允许手动添加化学试剂。当调节传输速度不能解决问题时,由技术人员进行手动补液并做相应的记录,包括:时间、原因、补充量、签字。3、刻边槽(EdgeIsolation-Etch:x)的温度要控制在130C以下,选择性刻蚀槽(Emi
7、tter-Etch)的温度要控制在4-100C,碱槽(Strip/Post-StripProcess)温度要控制在250C以下,HF酸槽(PSG-Process)温度要控制在20℃内。范文范例学习指导word格式整理版4、刻蚀完毕后,目测背面的刻痕宽度及正面阴影宽度(1次/小时),是否满足工艺要求,当发现有连续超出要求时,应通知当班技术员进行调节。5、刻蚀槽内的气流直接影响刻蚀效果,因此通过调节排风量来保证刻蚀槽内的气流均匀稳定,并且在正常生产时要保证所有工位的上盖是关闭的。6.4、工艺控制点:1、主要质量控制点:刻蚀深度控制在1.5±
8、0.2之间,单位um绝缘电阻≥1k欧姆。以上二个参数在正常生产时至少每隔两个小时测量一次。当更换药液和停产一段时间再生产时及参数不正常时,要求增加测量次数,确保工艺的正常运行,避免造成大量的不合格。1、刻蚀
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