实验2非门与非门或非门的电路结构与仿真

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1、实验二非门、与非门、或非门的电路结构与仿真班级姓名学号指导老师一、实验目的1、掌握基本组合逻辑电路结构及相关特性；2、进一步熟练Hspice等工具；二、实验内容及要求1＞设计反相器电路；2、设计出2输入与非门、或非门并仿真;三、实验原理反相器重要特点：•有较理想的传输特性，过渡区比较陡；•逻辑摆幅从VDD到地；•静态功耗为零；輸出直流特性:2M2关断Ml导通CMOS反相器的转移特性曲线二输入与非门：輪入,PINCapacitance(pF)10.0120.2530.25ABABc00l0!1l10i110二输入或非门四、实验方法与步

2、骤实验方法：计算机平台：（个人电脑虚拟机平台，windowsXPO）软件仿真平台：（在Hspiii软件仿真平台上。）实验步骤：1、编写源代码，并以.sp文件扩展名存储文件。2、编译与调试。打开Hspice软件平台，选择打开sp文件。3、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击Simulate开始仿真运行。点击Avanwaves,按照程序所述对比仿真结果。4、仿真平台各结果信息说明。五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1)源代码反相器：^SamplenetlistforGSMC.TEMP25.0000.paramwn=luwp=0.28

3、uLmin=0.28uvdd=3.6v.lib*gd018.rTT.optionpostvddvcc0dcvdd*—VoltageSources—*…InverterSubcircuit…Mln2n1vccvccPCHw=wpL=LminM2n2nl00NCHw=wnL=LminCln20lOpvsnl0*---TransientAnalysis.dcvs0vdd0.01.printdcv(n2)I(m2).alter•paramwp=lu.alter.paramwp=3u.alter.paramwp=9u.alter•paramw

4、p=27u.end与非门：*SamplenetlistforGSMC.TEMP25.0000.paramwn=30uwp=30uLmin=6uvdd=3.6vJib'gd018.rTT.optionpostvddvcc0dcvdd*VoltageSources•-*---InverterSubcircuit…Mp1n3n2vccvccPCHw=wpL=LminMp2n3n1vccvccPCHw=wpL=LminMnln3n1n40NCHw=wnL=LminMn2n4n200NCHw=wnL=Lminvsnl0dc=5vvdn20dc

5、=5v*—TransientAnalysis….dcvs0vdd0.01vd0vddvdd.printv(n3).end或非门：^SamplenetlistforGSMC.TEMP25.0000.paramwn=30uwp=3()uLmin=6uvdd=3.6v.lib'gd018.rTT.optionpostvddvcc0dcvdd*…VoltageSources■■-*---InverterSubcircuit…Mplvccnln4vccPCHw=wpL=LminMp2n4n2n3n4PCHw=wpL=LminMnln3nl00

6、NCHw=wnL=LminMn2n3n200NCHw=wnL=LminCln300.1pvsnl0vdn20*—TransientAnalysis….dcvs0vdd0.01vd0vddvdd.printv(n3).end2、仿真结果及分析1)仿真结果反相器：AvsvssZ2007.03<20070222tmicaMixuv■••W*lnonflcv*tio1kXSH71P-perF"8:wot£)BKv.0vs)8XlLVIKZJSKsw2vs)8S3VFO?S3wrs)8:i-vFl)•kiTs)Gib.).Js^1部*•IXI

7、Jrs:sn:AvanVavesZ2007.03(20070228)X»»lt~1«pTTy(hTa2）仿真结果分析反相器仿真中，低电平输入时高电平输出，并随输入升高输出降低，最后高电平输入时低电平输出。与非门仿真中，输入A为由0V均匀增长至5V的线段，B为0V和5V两条分别代表低电平和高电平。可以看出，输出也有两条，AB皆高电平输入时输出为低电平，其余输入情况输出都为高电平。或非门仿真中，输入A为由0V均匀增长至5V的线段，B为0V和5V两条分别代表低电平和高电平。可以看出，输出也有两条，AB皆低电平输入时输出为高电平，其余输入情

8、况输出都为低电平。与实际相符，仿真结果正确。六、实验结论反相器：输入A输出110与非门：输入输出ABY001011101或非门:1100D门(>】1c(>311A0011七、实验心得