安森美半导体推新型CMOS图像传感器 首批采用近红外+（NIR +）技术.doc

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1、安森美半导体推新型CMOS图像传感器首批采用近红外+（NIR+）技术推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出首批采用近红外+（NIR+）技术的CMOS图像传感器，该技术有效地将高动态范围（HDR）与增强的微光性能相结合，以使能高端安防与监控相机。AR0522是一款1/2.5英寸510万像素（MP）图像传感器，基于一个2.2微米（um）背照式（BSI）像素技术平台，专为在微光条件下需要高分辨率、高质量视频捕获的工业应用而开发。AR0522图像传感器提供的近红外波长的灵敏度大概是现有的AR0521图像传感器的两倍。AR0431是一款1/3.2

2、英寸400万像素传感器，基于一个2.0um背照式像素技术平台。它能够提供通用的低能耗模式和一个高达120fps的帧速率，非常适合需要慢速运动视频捕获的应用。它的低运作能耗使其成为电池供电的安防相机、动作/运动相机、车载DVR和一般监控相机的理想选择。安森美半导体开发NIR+技术，以提高近红外区域内传感器的量子效率（QE），而无需牺牲可见光谱中的色彩保真度。通过这一技术，安防相机可在更低的电压下，在物料单（BOM）上使用更少的红外（IR）LED，且仍能在微光和近红外条件下实现高质量图像。安森美半导体图像传感器消费方案分部副总裁兼总经理GianlucaColli表示：“AR0522和AR0431

3、所采用的NIR+技术和背照式像素平台真正实现了卓越的图像质量和微光性能，即使在极具挑战的光照条件下也能获得更明亮、更清晰的图像。”