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时间:2018-12-06
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1、三星12GbLPDDR4实现了DRAM芯片的最大容量和最高速度、能源效率 三星电子公司今天宣布批量生产基于其高级20纳米工艺技术的业界首款12GbLPDDR4(低功耗双数据速率4)移动DRAM。 最新LPDDR4预计将大幅加速全球大容量移动DRAM的推广应用。12GbLPDDR4实现了DRAM芯片的最大容量和最高速度,能带来出色的能源效率、可靠性和设计便捷性,这些功能对于开发新一代移动设备而言至关重要。 三星电子存储芯片销售及市场营销负责人崔周善执行副总裁指出:“三星电子成功推动12GBLPDDR4移
2、动DRAM实现大规模量产,这不仅有助于推动OEM厂商加速新一代移动产品的开发,并将为移动消费者带来更出色的用户体验。此外,我们期望与全球客户展开密切合作,加速创建拥有类似新一代移动DRAM等尖端科技的全新数字营销市场,为用户推出超越高端智能手机、平板电脑的高科技产品。 相对于之前的20纳米8GbLPDDR4而言,12Gb版本的速度提升超过30%,高达4266Mbps,是PC用DDR4DRAM的两倍*,功耗则减少20%。此外,12GbLPDDR4的生产力相对于20纳米级**8GbLPDDR4高出50%以上,这进
3、一步提高了对旗舰移动设备的存储器容量需求。 单封装12GbLPDDR4支持3GB或6GB的移动DRAM,分别只使用两个或四个芯片,这也是唯一一款能实现6GBLPDDR4封装的解决方案。就新一代旗舰产品而言,6GB的LPDDR4移动DRAM能帮助消费者在最新操作系统(OS)环境中实现无缝多任务处理和最大性能。此外,基于新型12GbLPDDR4,6GB封装能方便地放入跟3GBLPDDR4版一样的空间,从而满足高级移动设备更高的设计兼容性及生产性的要求。 通过扩展基于12GbLPDDR4的大容量存储器产品线,三星
4、计划进一步巩固其20纳米DRAM系列产品(12Gb/8Gb/6Gb/4Gb)业界领先的竞争优势,同时巩固公司在不断增长的高级存储器市场中的地位。 三星预计,在LPDDR4移动存储器强大优势的推动下,其应用领域在今后几年将超越智能手机和平板电脑,扩展领域包括超薄PC、数字设备和汽车产品等。 *注:单位引脚的PCDDR4DRAM处理速度为2,133Mbps。 **注2:20纳米级是20纳米和30纳米之间的工艺技术节点。
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