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时间:2018-12-06
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1、三星联手IBM搞5nm新工艺叫板台积电台积电5nm工厂已经启动 晶圆代工龙头台积电昨(19)日发出邀请函,5纳米新厂将在下周五(26日)动土,董事长张忠谋亲自主持动土典礼,未来将有三期厂房生产5纳米制程产品,显示看好产业需求。台积电在日前法说会中,不但第1季淡季效应不显著,还提前预告「第2季更好」,昨日股价应声大涨,市值冲破新台币6.6兆元,再写新高。 台积电日前举行法说会,公布去年第4季和全年财报,虽然汇率波动,但包括全年营收、税后纯益和每股纯益等三项财务指标都写下历史新高纪录,成为张忠谋今年6月最好的退休礼物。 台积电第1季营收季减幅度在一成以内,张忠谋亲自预告,第2季
2、将会强劲成长。若以美元计价,2018年在高效能运算、物联网、车用电子等三大领域驱动下,全年业绩至少成长10%。 张忠谋对前景看法乐观,外资纷纷喊买,昨日收盘价大涨7元、收255.5元,刷新历史新高价位,市值突破6.6兆元,同样创新高。 除了营运趋势和股价表现亮眼,台积电昨日发出邀请函,预定26日举行晶圆18厂动土典礼,当天活动将由张忠谋主持。 台积电总经理暨共同执行长刘德音于去年供应链管理论坛就曾透露,5纳米制程发展符合进度,位于台南科学园区的晶圆18厂将于今年动土,将有三期厂房生产5纳米,预计2019年上半年风险性试产。 5nm工厂是南科12寸超大型晶圆厂Fab14的延
3、伸,预计将兴建第8期至第10期等共3个厂区,5nm合计月产能可望上看9~10万片。 台积电5nm新厂今年9月动土,占地超过40公顷,由于建厂及设备成本愈来愈高,5nm3个厂区的总投资金额将创下新高纪录,设备业者推估应达新台币2,000亿元。 除5纳米外,台积电去年9月也宣布3纳米相关计划,3纳米新厂同样座落于南科,投资金额将超过200亿美元。 台积电出货与产能目前都保持积极状态,中国大陆南京厂提前于5月开始出货,位于台湾的5纳米厂将动土,3纳米新厂建厂计划也加速进行中,持续挑战全球半导体业两大霸主英特尔和三星。 张忠谋也表示,5nm规划使用极紫外光(EUV)微影技术,以降
4、低制程复杂度。但根据IBS的估算,在5nm节点,设计一款主流芯片的成本将高达4.76亿美元水平,而7nm节点的成本仅3.492亿,28nm则是0.629亿。 三星联手IBM搞5nm新工艺叫板台积电 作为台积电最有竞争力的竞争对手,三星联手IBM打造5nm新工艺叫板台积电。 为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5nm晶体管的工艺有了实现可能,而这一工艺将有可能引爆未来芯片性能的进一步高速发展。 实际上,从工艺架构本身来说,这种从垂直架构到水平层叠的转换相当于在硅晶体管上打开了第四
5、扇“门”,使得电信号能够在芯片中通过不同的晶体管。而从尺寸上来说,这些晶体管的宽度不大于两三根并排在一起的DNA分子链。 那到底能为我们的生活带来怎样的改变?根据IBM官方的说法,比较直观的描述是,当我们在阅读这篇文章时,假设正在使用的移动设备只剩下10%的电量,但基于5纳米制程技术的芯片将使得移动设备在需要充电之前仍然可以使用数小时,而不是几分钟。未来配备此类新型芯片的移动设备续航时间将比现在要延长数天。 数十年来,半导体产业对缩小电子元件的狂热追求是有原因的。芯片上集成的电路越多,电子产品的速度越快、效率越高、成本越低。而著名的摩尔定律在1965年首次提出之时则认为,芯片
6、上的晶体管数量每年翻一番,该预测在1975年被更改为每两年。 尽管半导体行业集成技术的发展速度越来越达不到摩尔定理的预期,但不管怎么说,晶体管的尺寸还是在变得越来越小。 图丨摩尔定律 其实,半导体的缩小并不是什么高技术活儿。上一个主要突破就发生在2009年,研究者们发明了一种叫做FinFET的晶体管设计方式,而其第一次大规模制造则开始于2012年——这给整个行业打了一剂强心针,为22纳米这一尺寸上的处理器创造了可能。FinFET是晶体管行业的革命性突破——其关键在于,在三维结构而非二维平面上控制电流的传递。 IBM半导体研究小组副组长MukeshKhare表示,“原则
7、上说,FinFET的结构就是一个简单的长方形,其中的三条边上各有一个小门”。如果把晶体管想象成一个开关,不同的电压就会控制这道门“开启”或“关闭”。在三个不同方向上加上门能够最大化这个开关的电流量,并最小化电流的漏出,所以增加了整体的效率。 但在五年后,这一技术也几乎发展到了尽头。对此,半导体制造公司VLSLResearch首席执行官DanHutcheson表示,问题在于FinFET就像一条流淌的小溪。FinFET在目前常见的10纳米处理器上正常工作,在7纳米上应该也没有问题。
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