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时间:2018-12-04
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1、ReRAM与NRAM将成全球存储市场两大黑马 今天,小编就为大家讲讲身怀绝技的ReRAM和NRAM。 1 小型化是趋势,论ReRAM的进化路线 ReRAM:可变电阻式随机存取存储器,是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。 其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,这简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。 富士通的ReRAM产品易于写入操作,在写入操作之前,不需要擦除操作,并且拥有丰富的中密度存储线,涵盖4Mbit、8Mbi
2、t、32Mbit。同时,5MHz的读出操作最大电流仅为0.5mA,远远低于同样条件的EEPROM(3mA@5MHz)。 可穿戴设备和小型医疗设备一直是ReRAM的主要市场,为了使用可穿戴和医疗设备小型化和低功耗的要求,富士通的ReRAM的产品也将向小型化方向发展。 2 速度比普通内存快1000倍,富士通押宝NRAM BCCResearch预计,全球NRAM市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率(CAGR),其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元,到了2023年将成长至2.176亿美元,CAGR高达115.3%。 作为一个比较“
3、新”的产品,NRAM之所以能很快引起市场的注意,与NRAM独有的优势分不开——NRAM读写的速度比较快,读写耐久性比NORFlash高于1000倍。具有高可靠性,一般80度可以存储数据达到1000年,300度时可达10年。同时还具有低功耗的特点。 目前,富士通与Nantero达成协议,使用三重富士通的300mm晶圆,共同开发55nmCMOS技术的NRAM。 高性能的NRAM在众多应用领域拥有明显的竞争优势: 可应用于任何系统:NRAM不但是非易失性存储器,又具有与DRAM同等的高速操作。 可实现instanton(即开即用)功能,降低功耗的同时提高了系统的性能。
4、 适应于高温环境动作的逐渐增长的市场需求。 最后一张图了解富士通NRAM的目标应用~
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