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时间:2018-12-04
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1、arm架构的芯片memory及智能机存储部件简述 一,存储部件的分类 1,RAM(RandomAccessMemory)-随机存取存储器 RAM在任何时候都可以被读写,通常作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(内存,掉电后RAM不能保留数据。RAM有SRAM、DRAM两大类。 SRAM(StaticRAM/SRAM)写入的数据不会消失,直到下次写入或掉电,是目前读写最快的存储设备,价格昂贵,只用于要求苛刻的地方,如Cache。 DRAM(DynamicRAM/DRAM)保留数据时间短,速度比SRAM慢,但
2、快于其他任何ROM,比SRAM便宜很多,常用于计算机内存。DRAM种类很多,常见的有FPRAM/FastPage、EDORAM、RDRAM、SGRAM、SDRAM、DDRRAM等。 SDRAM(SynchronousDRAM)同步动态随机存储器,是一种改善了结构的增强型DRAM。SDRAM的接口相对复杂,需要相应的控制器支持,但由于容量大、价格便宜、访问速度快,所以常用在对内存容量和处理速度要求高的应用场合,在这种场合中,相应的处理器(CPU)都自带有SDRAM控制器。 DDRRAM(Date-RateRAM)也称作D
3、DRSDRAM,是目前电脑中用得最多的内存,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,但是它数据传输速率加倍了,一个时钟内可以进行两次数据书读写。 2,ROM(ReadOnlyMemory)--只读存储器 ROM可在任何时候读取,断电后能保留数据,数据一但旦写入只能用特殊方法更改或无法更改。因此ROM相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据。嵌入式系统中ROM常用来存放可执行文件映像。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。随着ROM存储介质发展,应用中经常提到
4、的有ROM、PROM、EPROM、2PROM。 ROM:ReadOnlyMemory,只读存储器。ROM中内容只能读不能改,在工厂里通过特殊的方法将数据烧录进去。 PROM:ProgrammableROM,可编程ROM。可通过专用的编程器将数据写入,但是只可写一次,一旦写入再无法修改。 EPROM:ErasableProgrammableROM,可擦除可编程ROM。芯片写入要用专用的编程器,可重复擦除和写入,擦除通过紫外线照射实现。 EEPROM:ElectricallyErasableProgrammableRO
5、M, 电可擦除可编程ROM。价格高,写入慢。但其写入、擦除不需借助其它设备,电子信号即可实现。用厂商提供的专用刷新程序并利用一定的编程电压就可以轻而易举地改写内容。手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 3,FLASH存储器(闪存) FLASH结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,断电也不会丢失数据。同时
6、数据可以快速读取,U盘和MP3以及现在的智能手机里用的就是这种存储器。过去,嵌入式系统一直采用ROM(EPROM)作存储设备,近年来Flash则将其全面代替,被用来存储Bootloader、操作系统或者程序代码。目前Flash主要有两种:NORFlash和NandFlash。 NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码,不必再把代码读到系统RAM中
7、。NORFlash的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能,同时成本较高。 NANDFlash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以块的形式来进行,通常一个块大小为512个字节,NandFlash比较廉价,用户不能直接运行NANDFlash上的代码。应用NAND的困难还在于flash的管理和需要特殊的系统接口,它使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。 NandFlash一般采用两种不同的类型。一种叫做SLC(SingleLev
8、elCell),单层单元闪存;第二种叫做MLC(MultiLevelCell),多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据,而MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC成本较高,但性能优、能耗低、重复擦写次数多。 嵌入式开发中,因为NORFlash多用
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