10nm sram、10核心芯片亮相isscc

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1、10nmSRAM、10核心芯片亮相ISSCC　　一年一度的“国际固态电路会议”(ISSCC)将在明年2月举行，几乎所有重要的晶片研发成果都将首度在此公开发布，让业界得以一窥即将面世的最新技术及其发展趋势。三星(Samsung)将在ISSCC2016发表最新的10nm制程技术、联发科(MediaTek)将展示采用三丛集(Tri-Cluster)架构搭载十核心的创新行动SoC。此外，指纹辨识、视觉处理器与3D晶片堆叠以及更高密度记忆体等技术也将在此展示最新开发成果。　　　　三星将提供更多DRAM与快闪记忆体晶片

2、细节，其中最重要的是一款采用10nmFinFET技术制程的128Mbit嵌入式SRAM。根据ISSCC主办单位表示，该元件具有“迄今最小的SRAM位元单元，”高密度(HD)型晶片尺寸约0.040μm，而高电流(HD)晶片版本的尺寸约0.049μm。该设计支援“整合型辅助电路，可分别改善HD与HC位元单元的最小操作电压(Vmin)至130mV与80mV。　　　　TheLinleyGroup微处理器分析师DavidKanter表示，“相较于三星0.064μm2的14nmSRAM，10nm晶片版缩小了0.63倍，

3、当然不尽理想；但相较于0.049μm2的英特尔(Intel)14nmSRAM，三星的记忆体单元则缩小了0.82倍，这是三星未在20nm与14nm之间微缩金属规律的结果。”但Kanter预计英特尔的10nmSRAM尺寸应该会更小。　　台积电(TSMC)在今年初就宣布了10nm制程。据报导台积电正为苹果(Apple)下一代iPhone所用的处理器SoC加码制程投入。三星与台积电目前都是AppleiPhoneSoC的主要供应