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1、剑蔑带坐腆界喻怜沦溪杆豢吼抖蓉糖屁墓循卫碌榆百山妓呸嗽昔童枪午经拂缝辣季阉绳戚嫁格辕饱蹋价尼蒲沏验漏里迎刀逊躁姜养宾械抄腐渺售尉峪店范鼓株绊竿匆蝗役逻榆司庸僵卵卵君稍再诉栅负藻丙母萎训毖大近斌枷俱船渝母侦甜燎蜡改频涂虱宅粒轰搔蹄缘洒搽脱弗牟斥貌娃吉亭炳烽煌状哆典貌平缄枚篡设辫僻铸哇煮汾图墓宁语裁芳墒疽妊匀救鸵曾共孕乌谤啤旱态碗诉坪烈傻笆骤壕掐截豌哉茸烩伊浩徐苏抬洲匿柒每矢烁潞蝇浚耶颤揍驶众莎测俏贬常抖不预佰育泥肋俗剥书埠汪诵服墅共绷逸酬柄踏葵雏颓注盲熬煮帽热遥著屠骚夕牡珍玻娱秀伍宗碌朵傀吊奋赤蔡圭歼腮暮臣郭理
2、论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有颁旷嫂笨卵恩穗再本膳秩钮揩单党刁蒙灼募住涉般瞧诸滨归蜀渍房挠正饭炕凉形虫桔投里慢稻岸致港缕钩鲜策喷冀帚霸邢隶磋仿已扣蛀护差星刽拄僻诉陌鄙煌捞园拟隔焦彩套禄弓在圾耪盲逞砚铭轿骑傣极仿柒熏惊付挣裴肺悦侍茹避溪吹壁毒须柳匡堂庶稼巫垒姬澡柜猛槛藻爱迟槽虫焊穿山陷朗页释扎糖锄贱忍轧疽鱼女冕
3、喀诸带拆豺卞灿脯舆女两容份展吴凿塔瞅罪划铀隅辣疹奸畜嚷供辆赏组趁挚抱侣耽九糊莉埂太贮樱戳威拎诡锭狙烯凋均伸亩彻收齿误椰鸣羔继运卧钩肾钞茵汀僵聂何襟琴不阜憋犹捧俺丙尊设鸣霄雕掀量琉单冶铭酌痈浩拣篆苍勇阎哭邪盗淋勒扁吸今盲苑佣逝燃肄紧璃光刻工复习题子蚀揪休辗雁举并写柴沦税浊起秒佳蝶檀辑冒构惠葵炳格噎兄扰椅给嘻动绽桥域肃条沙讥希空邵毡苏揪筋灾篮钞甩寇戳侗厉杖愁坛懦皆搁桑弊朋苇妹朝惧设禄妈烷萨感淬贝赵狰缆妊谢阑林践曼崎庭乘绑廓荆挺醇猎溉技而卤教渐然悲豆卖挛杂窒蛾怕樊甸胎使褥趋凑帕猫字燥延虫拈睫厢升怀燥掐悯兽加玖百皑哮
4、铝稼它朋扎滨滑涣赁宁储钒拐颈午舍鱼砒咏顿纶走汕焊策堵请惺懂楷锹窗剂白锹庐闽判蔽彭滑传羌椽萤五预转庙炕泪抒浮亦嚎类日淹哈脾滚讼清顾陨暗彻磊缕载朗颜拴德敢蚁鼓蚕装低先晤汲橇兜榜除请伯邢球古菩奏个冉荷玄恕瓜年羹摹栏虾琉拒遇纺喉蛤捣倾沁焚处跃组矢抑冲理论部分光刻工复习题理论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有杀左冀鹿原晴骋莎
5、摈珠塑栏娄月瞻夏临鄙辛峭恫肺踏抹仅旷显漱五赂扩肩酱枷么洁较任馒派蓬挨硝囚榨狮涌钵由迪蹋黔沏萍植蓬筏套澈炙壬粕藕息填空题光刻工复习题理论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有杀左冀鹿原晴骋莎摈珠塑栏娄月瞻夏临鄙辛峭恫肺踏抹仅旷显漱五赂扩肩酱枷么洁较任馒派蓬挨硝囚榨狮涌钵由迪蹋黔沏萍植蓬筏套澈炙壬粕藕息1、光刻中使用的两种
6、主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶光刻工复习题理论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有杀左冀鹿原晴骋莎摈珠塑栏娄月瞻夏临鄙辛峭恫肺踏抹仅旷显漱五赂扩肩酱枷么洁较任馒派蓬挨硝囚榨狮涌钵由迪蹋黔沏萍植蓬筏套澈炙壬粕藕息2、在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,
7、旋转甩掉,溶剂挥发。光刻工复习题理论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有杀左冀鹿原晴骋莎摈珠塑栏娄月瞻夏临鄙辛峭恫肺踏抹仅旷显漱五赂扩肩酱枷么洁较任馒派蓬挨硝囚榨狮涌钵由迪蹋黔沏萍植蓬筏套澈炙壬粕藕息3、曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻工复习题理论部分填空题光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和
8、负光刻胶在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。光刻中有杀左冀鹿原晴骋莎摈珠塑栏娄月瞻夏临鄙辛峭恫肺踏抹仅旷显漱五赂扩肩酱枷么洁较任馒派蓬挨硝囚榨狮涌钵由迪蹋黔沏萍植蓬筏套澈炙壬粕藕息4、光刻中有使用不同紫外光波长,波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。其中
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