电子技术基础教案2

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1、海南省三亚技工学校海南三亚中等职业技术学校理论课教案任课教师姓名郜普艳任课班级11电气雨露科目电子技术基础授课日期第2周星期3（2月22日）本教案授课节数2审批1课题§2-1半导体三极管课型理论课教学目的1.知识目标：使学生掌握三极管的特性曲线及其主要参数。2.能力目标：使学生对三极管的内部结构及放大工作原理有更具体的了解及认识。3.德育目标：培养学生养优良的道德品质，及良好的职业道德。教学重点1.使学生掌握三极管的特性曲线及主要参数。教学难点1.使学生掌握三极管的特性曲线及主要参数。教学方法教学手段教具设备1.教学教具：实物教具2.教学方法：讲解法、提问启发法、谈话教学法、讨论教学法、案例

2、教学法、归纳总结法课前准备：教室、教学教具的准备落实到位教学过程（含课前准备、组织教学、复习提问、导入新课、讲授新课、练习巩固新课、总结、布置作业及预习；板书板画设计与时间分配）教学过程一、组织教学：（1）由班长组织学生提前5分钟进入课堂点名考勤；检查学生着装，仪容仪表，准备上课。(2)上课，师生问候：师：“上课！”，班长：“起立！”，师：“同学们好！”，生：“老师好！”，师“请坐！”二、复习提问：三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。备注（3分钟）提问法三、导入新课：三极管各极上的电压和电流之间的关系，可通过伏安特性曲线直观的描述。三极管的特性曲线主要有输入特性曲线和输出特性曲线两种

3、。§2-1半导体三极管四、讲授新课1．三极管特性曲线共发射极电路注：发射极是输入回路、输出回路的公共端1）输入特性曲线正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE=0.6~0.7VPNP型锗管UBE=0.2~-0.3V特点:非线性2）输出特性曲线输出特性曲线通常分三个工作区：备注（2分钟）导入法板书（25分钟）讲述法谈话法讲解法(1)放大区在放大区有IC=βIB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。（2）截止区IB<0以下区域为截止区，有IC=0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。（3）饱和区当U

4、CE=UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，βIB=IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES=0.3V，锗管UCES=0.1V。2.三极管的主要参数表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。(1)电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数注：常用晶体管的β值在20~200之间。(2)集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。(3)集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOICEO受温度的影响大。(4)集电极最大允许电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的β值的下降，当β值

5、下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。(5)集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25°C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。(6)集电极最大允许耗散功耗PCMPCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC=PCM=ICUCE注：硅管允许结温约为150℃，锗管约为70～90℃3.晶体管参数与温度的关系1）温度每增加10℃，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。2）温度每升高1℃，UBE将减小–(2~2.5)mV，即晶体管具有负温度系数。3）温度每升高1℃，β增加0.5%~1.0%。五

6、、课堂练习例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40mA，IC=1.5mA；在Q2点IB=60mA,IC=2.3mA。案例教学法在Q1点，有由Q1和Q2点，得在以后的计算中，一般作近似处理：六、教学小结三极管的特性曲线及其主要参数。七、布置作业及预习1．布置作业：P53页习题4、5、6题；2．预习：§2-2共射极基本放大电路七、教学后记（（12分钟）练习法（2分钟）归纳法总结法（1分钟）海南省三亚技工学校海南三亚中等职业技术学校理论课教案任课教师姓名郜普艳任课班级11电气雨露科目电子技术基础授课日期第2周星期4（2月23日）本教案授课节数2审批课题§2-2共射极基本放大电路课型理论课教学目的1

7、.知识目标：使学生掌握共射极基本放大电路的基本结构、组成及各元件作用。2.能力目标：使学生对共射极基本放大电路有更具体的了解及认识。3.德育目标：培养学生养优良的道德品质，及良好的职业道德。教学重点1.使学生掌握使学生掌握共射极基本放大电路的基本结构、组成及各元件作用。教学难点1.使学生掌握使学生掌握共射极基本放大电路的基本结构、组成及各元件作用。教学方法教学手段教具设备1.教学教具：实物教具2.教学方法：讲