模拟电子技术课程试卷

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1、承诺：我将严格遵守考场纪律，知道考试违纪、作弊的严重性，还知道请他人代考或代他人考者将被开除学籍和因作弊受到记过及以上处分将不授予学士学位，愿承担由此引起的一切后果。专业班级学号学生签名：职业技术学院2010—2011学年第一学期考试卷　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　试卷编号：　　　　（A）卷《模拟电子技术》课程课程类别：必、限、任闭卷（√）、开卷(范围)（）：　　　　　考试日期：　　　　　题号一二三四五六七八九十总分累分人签名题分20201212610128100得分考生注意事项：1、本试卷共6页，总分　100　分，考试时间　120　分钟

2、。2、考试结束后，考生不得将试卷、答题纸和草稿纸带出考场。得分评阅人一、填空题（共20分，每题2分）1、P型半导体是在本征半导体中掺入元素的杂质；其多数载流子是。2、载流子在电场的作用下形成的电流叫电流。3、电子电路中，稳压管工作在区。4、三极管有三种工作区，分别是、和。5、场效应管的三个电极分别是、和。6、集成运算放大器输入级通常采用，以抑制零漂，提高输入电阻。7、在一个负反馈放大电路中，已知开环放大倍数A=100，反馈系数F=0.04，则闭环放大倍数Af=。8、一阶滤波电路阻带幅频特性以/十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以/十倍频斜率衰减。阶数越

3、，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。9、整流电路是利用二极管的性，将交流电压变换成。10、放大电路的通频带是指。11、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。第7页共6页得分评阅人二、选择题（共20分，每题2分）1、NPN晶体三极管处于放大状态的外部条件是（）。A、VBE>0，VBC>0B、VBE>0，VBC<0C、VBE<0，VBC>0D、VBE<0，VBC<02、电路如图所示，设二极管为理想二极管，则输出电压Uab为（）。A、15VB、-15VC、12VD、-12V3、场效应管转移特性曲线如图所示，该管是（）。A、N

4、JFETB、PJFETC、NDMOSD、PEMOS4、在差分放大器中，已知两输入信号电压分别为Vi1=5sinωtmV，Vi2=9sinωtmV，则差模输入信号电压Vid和共模输入信号电压Vic为（）。A、4sinωtmV14sinωtmVB、4sinωtmV7sinωtmVC、-4sinωtmV14sinωtmVD、-4sinωtmV7sinωtmV5、在差分放大器中，已知单端输出时的差模电压放大倍数AVD=-250，单端输出时的共模电压放大倍数AVC=-0.05，则单端输出时的共模抑制比KCMRR为（）。A、-5000B、250C、12.5D、

5、50006、、在下列反馈电路中，能使输出电阻增大的是（）。A、串联负反馈B、并联负反馈C、电压负反馈D、电流负反馈7、右图的反馈类型是（）。A、电流并联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电压串联负反馈第7页共6页承诺：我将严格遵守考场纪律，知道考试违纪、作弊的严重性，还知道请他人代考或代他人考者将被开除学籍和因作弊受到记过及以上处分将不授予学士学位，愿承担由此引起的一切后果。专业班级学号学生签名：8、产生自激的条件为（）。A、φa+φf=nπ，AF=1B、φa+φf=2nπ，AF=1C、φa+φf=nπ，AF>1D、φa+φf=2nπ，

6、AF>19、在单相桥式整流电路中，若负载电阻RL=10KΩ，输出直流电压UO=100V，则流过二极管的平均电流ID为（）A、10mAB、5mAC、10AD、5A10、电路如图所示，输出电压VO=（）。A、12VB、-12VC、15VD、-15V得分评阅人三、电路如图所示，设二极管是理想的，vi=6sinwt(V)，V=2V，R=100Ω，试画vo波形。（12分）得分评阅人第7页共6页四、电路如图所示，已知UI=5V，R1=1KΩ，R2=1KΩ，R3=9KΩ，R4=1KΩ，R5=10KΩ，R6=10KΩ，试求电阻R5流过的电流I。（12分）得分评阅人

7、五、如图所示电路中，已知VCC＝VEE＝16V，RL＝4Ω，V1和V2管的饱和压降│UCE(sat)│＝2V，输入电压足够大。试求最大不失真输出时输出功率Pom和效率ηm。（6分）第7页共6页得分评阅人承诺：我将严格遵守考场纪律，知道考试违纪、作弊的严重性，还知道请他人代考或代他人考者将被开除学籍和因作弊受到记过及以上处分将不授予学士学位，愿承担由此引起的一切后果。专业班级学号学生签名：六、在下图中，已知Vz=6V，R1=R2=RP=1KΩ，运放A的最大输出电流为5mA，调整管V2的放大倍数β为50；求：（1）输出电压Vo的可调范围。（2）最大负载

8、电流Iomax。（10分）第7页共6页得分评阅人七、在图示两级阻容耦合放大器中，已知RB1=100kΩ，RB2=24kΩ，