模拟电子技术习题与答案

《模拟电子技术习题与答案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、1.填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。（3）PN结的结电容包括和。（4）晶体管的三个工作区分别是、和。在放大电路中，晶体管通常工作在区。（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅---源间所加电压应该。（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。2.判断下列说法正确的与否（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）（3）结型场效应管外加的栅

2、---源电压应使栅---源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（）（4）要在稳压管两端家反向电压就能起稳压作用。（）（5）体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）（6）在N型半导体中如果掺入足量的三价元素。（）（7）在N型班的人中如果掺入足量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（8）若耗尽型N够到MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减少。（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。（2）错。对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性状态。（3）对；结型场效应管在

3、栅---源之间没有绝缘层，所以外加的栅---源电压应使栅—源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（4）错；稳压源要进入稳压工作状态，两端的反向电压必须达到稳压值。（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。（8）错；绝缘栅场效应管因为栅---源之间和我栅---漏之间有SiO2绝缘层而使栅---源间电阻非常大

4、，因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而吧影响输入电阻。3.为什么使用二极管时，应特别注意不要超过最大正向平均电流（最大整流电流）和最高反向工作电压。答：当正向电流超过最大整流电流会使二极管结温过高，性能变坏，甚至会烧毁二极管；当反向工作电压超过最高反向工作电压时，会发生击穿。4.当直流电源电压波动或外接负载电阻RL变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定？若能稳定，这种稳定是否是绝对的？答：能稳定，但不是绝对的，超出一定范围时，不能够再稳定。5.既然三极管具有两个PN结，可否用两个二极管相连以构成一只三极管，说明理由。答：不能。因为三极管

5、中的两个PN结是相互有关联的，发射区掺杂浓度要大，集电区掺杂浓度要小，基区要薄。这样发射区发射出的载流子才能有一部分穿越基区被集电区收集成为集电极电流。1.三极管的电流放大系数α、β时如何定义的？能否从共射极输出特征曲线上求得β？在整个输出特性曲线中，是否均匀一致？答：α：共基极电流放大系数；β：共射极电流放大系数；根据β的定义，可以在共射极输出特性曲线上求出，在整个输出特性曲线上，β的取值并不均匀一致，只有在放大区内，取值才一致。2.一只NPN型三极管，能否将e和c两电极交换使用？为什么？答：不能，因为三极管中两个PN结不对称，掺杂浓度也不同，发射区浓度大，集电

6、区浓度小。3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？答：可以利用万用表的电阻档测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向是电阻很大。4.场效应管与双极型三极管比较，有什么特点？答：（1）场效应管是电压控制型器件，输入电阻高；（2）场效应管是多子导电，而双极型三极管是两种载流子均参与导电，因而场效应管收温度、辐射的影响较小；（3）场效应管的噪声系数很小；（4）场效应管的源极和漏极可以互换使用，而晶体管一般情况下集电极和发射极不能互换使用；（5）场效应管的种类比晶体管种类多，股使用更加灵活；（6）场效应管集成工艺更简单、功耗更低、工作电源电压范围宽。题2-10图VD

7、1VD23KΩ(c)6V+_9V-12V+12V(d)VD3+uoVD4VD2VD16V0V8V_6KΩ6KΩ3kΩ(b)VD_+3V5Vuo2KΩ3kΩ12V+_VDuo6V(a)5.二极管电路如2-10图所示，试判断图中二极管是导通还是截止？输出电压为多少？解：在题2-10（a）图中，将二极管断开，以二极管的两个极为端口向外看，如题2-10解（a）图所示，则A—B间电压为–6–(–12)=6（V），二极管处于正偏，导通。在题2-10（a）图中，将二极管断开，以二极管的两个极为端口向外看，如题2-103KΩ12V+_VDuo6V(a)BAAB+B3KΩVD12V

8、Auo2K