半导体器件物理_复习重点new

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1、第一章PN结1.1PN结是怎么形成的？1.2PN结的能带图（平衡和偏压）*1.3内建电势差计算1.4空间电荷区的宽度计算1.5PN结电容的计算第二章PN结二极管2.1理想PN结模型是什么？2.2少数载流子分布（边界条件和双极输运方程的应用）2.3理想PN结电流2.4PN结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？2.5产生-复合电流的计算2.6PN结的两种击穿机制有什么不同？第三章双极晶体管3.1双极晶体管的工作原理是什么？3.2双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？3.3双极晶体管的少子分布（图示）3.4双极晶体管的电流成分（图示），它

2、们是怎样形成的？3.5低频共基极电流增益的公式总结3.6等效电路模型（Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型）（画图和简述）3.7双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？3.8双极晶体管的击穿有哪两种机制？第四章MOS场效应晶体管基础4.1MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？4.2MOS结构的平衡能带图（表面势、功函数和亲和能）及平衡能带关系4.3栅压的计算(非平衡能带关系)4.4平带电压的计算4.5阈值电压的计算4.6MOS电容的计算总的电容公式：最大电容：平带电容：，最小电容：，4.7MOSFET的工作原理是什么？4.8

3、电流-电压关系（计算）N沟道：P沟道：4.9MOSFET的跨导计算4.10MOSFET的等效电路（简化等效电路）4.11MOSFET的截止频率主要取决于什么因素？第五章光器件5.1电子-空穴对的产生率：5.2PN结太阳能电池的电流5.3光电导计算5.4光电导增益5.5光电二极管的光电流5.6PIN二极管怎么提高光电探测效率？5.7发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素？5.8PN结二极管激光器怎样实现粒子数反转（借助于能带图说明）第六章MOS场效应晶体管：概念的深入6.1MOSFET按比例缩小理论（恒定电场缩小），哪些参数缩小，哪些参数增大？6

4、.2结型场效应晶体管的工作原理是什么？它有什么特点