半导体器件物理_复习重点

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1、第一章PN结1.1PN结是怎么形成的?1.2PN结的能带图(平衡和偏压)*1.3内建电势差计算1.4空间电荷区的宽度计算1.5PN结电容的计算第二章PN结二极管2.1理想PN结模型是什么?2.2少数载流子分布(边界条件和双极输运方程的应用)2.3理想PN结电流2.4PN结二极管的等效电路(扩散电阻和扩散电容的概念)?2.5产生-复合电流的计算2.6PN结的两种击穿机制有什么不同?第三章双极晶体管3.1双极晶体管的工作原理是什么?3.2双极晶体管有几种工作模式,哪种是放大模式?3.3双极晶体管的少子分布(图示)3.4双极晶体管的电流成分(图示),它们

2、是怎样形成的?3.5低频共基极电流增益的公式总结3.6等效电路模型(Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型)(画图和简述)3.7双极晶体管的截止频率受哪些因素影响?3.8双极晶体管的击穿有哪两种机制?第四章MOS场效应晶体管基础4.1MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化?4.2MOS结构的平衡能带图(表面势、功函数和亲和能)及平衡能带关系4.3栅压的计算(非平衡能带关系)4.4平带电压的计算4.5阈值电压的计算4.6MOS电容的计算总的电容公式:最大电容:平带电容:,最小电容:,4.7MOSFET的工作原理是什么?4.8电流

3、-电压关系(计算)N沟道:P沟道:4.9MOSFET的跨导计算4.10MOSFET的等效电路(简化等效电路)4.11MOSFET的截止频率主要取决于什么因素?第五章光器件5.1电子-空穴对的产生率:5.2PN结太阳能电池的电流5.3光电导计算5.4光电导增益5.5光电二极管的光电流5.6PIN二极管怎么提高光电探测效率?5.7发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素?5.8PN结二极管激光器怎样实现粒子数反转(借助于能带图说明)第六章MOS场效应晶体管:概念的深入6.1MOSFET按比例缩小理论(恒定电场缩小),哪些参数缩小,哪些参数增大?6.2结

4、型场效应晶体管的工作原理是什么?它有什么特点

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