微波低噪声晶体管设计.doc

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1、毕业设计论文微波低噪声晶体管设计教学单位:电子信息学院专业名称:电子科学与技术（IC设计）学号:学生姓名:指导教师:指导单位:微电子技术系完成时间:2011年5月10日电子科技大学中山学院教务处制发‘29电子科技大学中山学院毕业设计（论文）任务书题目名称微波低噪声晶体管设计设计（撰写）内容本次毕业设计的内容和要求：1、通过阅读文献资料，掌握微波低噪声晶体管的工作原理、基本结构、制造工艺和性能特点。2、掌握微波低噪声晶体管的设计方法和设计工具。3、完成性能达到规定指标的微波低噪声晶体管的纵向参数设计、横向参数设计、

2、版图设计和工艺设计。预期目标本次毕业设计预期目标，是针对我国在通信系统方面的要求，设计出能达到下列指标的微波低噪声晶体管：工作频率f=2GHz，最大耗散功率PCM=30mW，最大工作电流ICmax=10mA，电源电压VCC=6V，噪声系数NF<2.5dB，功率增益Kp=7dB。成果形式论文设计（撰写）地点电子科技大学中山学院起止时间2010年12月10日至2011年5月10日指导单位微电子技术系指导教师2010年12月1日审核意见审核签名年月日29电子科技大学中山学院毕业设计（论文）成绩评定表设计（撰写）过程评语

3、：指导教师：年月日成绩论文评阅评语：评阅教师：年月日成绩论文答辩评语：答辩组长：年月日成绩总分审核人：年月日29微波低噪声晶体管设计摘要微波低噪声晶体管是通信系统接收端的关键电子器件，广泛应用于雷达、通信、卫星、导弹等领域内，对经济和军事领域的发展都有极其重要的意义。微波低噪声晶体管其主要参数指标为高的频率特性和低的噪声系数，本文首先对晶体管的频率和噪声等方面的特性进行了理论分析，在此基础上，根据设计指标，进行了微波低噪声晶体管的纵向结构参数、横向结构参数等的计算和选取，并对特征频率、噪声系数、功率增益等主要参数

4、进行了核算，结果为=3.63GHz、=2.45、=6.5dB，验证了该设计基本达到设计要求；在结构方面，采用了具有缓冲基区的结构；在图形方面，采用梳状结构；最后给出亚微米发射区宽度微波低噪声晶体管的工艺流程，并画出了所设计的微波低噪声晶体管的图形。关键词：微波；低噪声；缓冲基区；梳状结构29TheDesignofMicrowaveLow-noiseTransistorAbstractThelow-noisymicrowavetransistoristhepivotaldeviceofthesinkofcommun

5、icationsystems.Itiswidelyappliedtoradar,communications,satellite,missilery,etc.Anditisveryimportancetothedevelopmentbothofeconomyandmilitary.Theprimaryparametersofthelow-noisymicrowavetransistorarehigh-frequencyandlow-noise.Thispaperfirstlyanalyzedthetransist

6、or’sspecialistoffrequency,powerandnoise.Onthisbasis,basingtotheindexofthedesign,itchosetheparametersoflengthwaysandtransversestructureofthetransistor.Thenitaccountedtheprimaryparametersandtheresultare:fT=3.63GHz,NF=2.45dB,KP=6.5dB.Itvalidatedthedesignisachiev

7、etotheplanrequest.Inthestructuralaspect,itadoptedthestructurewhichhasbufferbasis.Inthefigureaspect,itadoptcomb.Atlastitgaveflowsoftheprocessofthelow-noisymicrowavetransistor,anddrawnthecell-picturedesigned.Keywords:microwave;low-noise;bufferbase;combstructure

8、2929目录1绪论11.1微波低噪声晶体管概述11.2微波低噪声晶体管的发展历程及现状11.3本文研究的主要内容22晶体管设计理论42.1晶体管的频率特性42.1.1电流放大系数与频率的关系42.1.2晶体管的特征频率52.1.3晶体管的高频优值62.2晶体管的噪声特性82.2.1噪声与噪声系数82.2.2晶体管的噪声源82.2.3噪声系数与频率、工作电流的关系92.2.