微波低噪声晶体管设计

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1、毕业设计论文微波低噪声晶体管设计教学单位:电子信息学院专业名称:电子科学与技术(IC设计)学号:学生姓名:指导教师:指导单位:微电子技术系完成时间:2011年5月10日电子科技大学中山学院教务处制发‘29电子科技大学中山学院毕业设计(论文)任务书题目名称微波低噪声晶体管设计设计(撰写)内容本次毕业设计的内容和要求:1、通过阅读文献资料,掌握微波低噪声晶体管的工作原理、基本结构、制造工艺和性能特点。2、掌握微波低噪声晶体管的设计方法和设计工具。3、完成性能达到规定指标的微波低噪声晶体管的纵向参数设计、横向参数设计、版图设计和工艺设计。预期目标本次毕业设计预期目标,是针对我国在通信系统方面

2、的要求,设计出能达到下列指标的微波低噪声晶体管:工作频率f=2GHz,最大耗散功率PCM=30mW,最大工作电流ICmax=10mA,电源电压VCC=6V,噪声系数NF<2.5dB,功率增益Kp=7dB。成果形式论文设计(撰写)地点电子科技大学中山学院起止时间2010年12月10日至2011年5月10日指导单位微电子技术系指导教师2010年12月1日审核意见审核签名年月日29电子科技大学中山学院毕业设计(论文)成绩评定表设计(撰写)过程评语:指导教师:年月日成绩论文评阅评语:评阅教师:年月日成绩论文答辩评语:答辩组长:年月日成绩总分审核人:年月日29微波低噪声晶体管设计摘要微波低噪声晶

3、体管是通信系统接收端的关键电子器件,广泛应用于雷达、通信、卫星、导弹等领域内,对经济和军事领域的发展都有极其重要的意义。微波低噪声晶体管其主要参数指标为高的频率特性和低的噪声系数,本文首先对晶体管的频率和噪声等方面的特性进行了理论分析,在此基础上,根据设计指标,进行了微波低噪声晶体管的纵向结构参数、横向结构参数等的计算和选取,并对特征频率、噪声系数、功率增益等主要参数进行了核算,结果为=3.63GHz、=2.45、=6.5dB,验证了该设计基本达到设计要求;在结构方面,采用了具有缓冲基区的结构;在图形方面,采用梳状结构;最后给出亚微米发射区宽度微波低噪声晶体管的工艺流程,并画出了所设计

4、的微波低噪声晶体管的图形。关键词:微波;低噪声;缓冲基区;梳状结构29TheDesignofMicrowaveLow-noiseTransistorAbstractThelow-noisymicrowavetransistoristhepivotaldeviceofthesinkofcommunicationsystems.Itiswidelyappliedtoradar,communications,satellite,missilery,etc.Anditisveryimportancetothedevelopmentbothofeconomyandmilitary.Theprim

5、aryparametersofthelow-noisymicrowavetransistorarehigh-frequencyandlow-noise.Thispaperfirstlyanalyzedthetransistor’sspecialistoffrequency,powerandnoise.Onthisbasis,basingtotheindexofthedesign,itchosetheparametersoflengthwaysandtransversestructureofthetransistor.Thenitaccountedtheprimaryparameters

6、andtheresultare:fT=3.63GHz,NF=2.45dB,KP=6.5dB.Itvalidatedthedesignisachievetotheplanrequest.Inthestructuralaspect,itadoptedthestructurewhichhasbufferbasis.Inthefigureaspect,itadoptcomb.Atlastitgaveflowsoftheprocessofthelow-noisymicrowavetransistor,anddrawnthecell-picturedesigned.Keywords:microwa

7、ve;low-noise;bufferbase;combstructure2929目录1绪论11.1微波低噪声晶体管概述11.2微波低噪声晶体管的发展历程及现状11.3本文研究的主要内容22晶体管设计理论42.1晶体管的频率特性42.1.1电流放大系数与频率的关系42.1.2晶体管的特征频率52.1.3晶体管的高频优值62.2晶体管的噪声特性82.2.1噪声与噪声系数82.2.2晶体管的噪声源82.2.3噪声系数与频率、工作电流的关系92.2.

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