聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述

聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述

ID:17937895

大小:84.00 KB

页数:5页

时间:2018-09-11

聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述_第1页
聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述_第2页
聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述_第3页
聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述_第4页
聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述_第5页
资源描述:

《聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、聚合物中的元激发-孤子、极化子、双极化子概述1前言经典的激子(Exitons)概念是研究绝缘晶体和半导体的光吸收过程而提出的。当入射光子能量略低于禁带宽度Eg时,这类晶体的吸收(或反射)光谱中会出现某种结构,这一事实说明存在E﹤Eg的激发态,即在禁带中出现了新的激发能级。用建立在单电子近似基础上的能带理论无法解释上述实验事实。若考虑电子与空穴形成束缚对,并降低系统能量,这时晶体的元激发不再是形成独立的电子与空穴,而是形成电子-空穴束缚态,其所需的元激发能量低于禁带宽度Eg。因此,电子-空穴束缚态的能级位于禁带之中。人们将电子和空穴束缚对称为激子。电子-空穴束缚对与氢原子类似,它有一定的空间分布

2、,其尺寸决定激子的半径。按其半径大小常将激子分为瓦尼尔-莫特(Wannier-Mott)激子(大半径激子)和夫伦克耳(Frenkel)激子(小半径激子)。一般无机材料中的激子是由库仑相互作用引起的,高聚物中的激子不仅可由库仑作用引起,晶格畸变也可引起激子。在高聚物中,额外的电子-空穴对必然引起低维体系结构的畸变,形成自陷束缚激子-极化子激子或非线性激子。高聚物中的激子一般都是大半径激子,即长程激子。对高聚物而言,其基态是否简并将决定高聚物链上激发态的类型,当基态简并时,可出现畴壁型(domainwall或纽结kink)孤子(soliton)[1~3];当基态没有简并时,在链上不能形成孤子,只能

3、形成极化子(polaron)。2一维Peierls不稳定性高分子聚合物可以看成是准一维链,由于物理体系的费米面和布里渊区的结构态密度依赖于维度性,低维体系会出现三维体系没有的特性,低维不稳定性就是个重要特性。从能带理论的角度来看,判断一个体系的基态是否是导体,可以由费米面和布里渊区是否重合来确定。对于一维体系来说,如聚乙炔,若原子是等距离排列,它的费米面和布里渊区边界是不重合的,那么它就应是导体。可事实上却不是,对于这一点,Peierls指出,对未填满的一维晶格,原来的原子排列是不稳定的,原子一定会发生位移,这是由于原来的排列能量较高,原子移动后可使体系的能量降低。对于半满能带的聚乙炔体系,碳

4、原子将发生如下的位移:所有的奇数原子右移δa,所有的偶数原子左移δ5a,如图1所示。这种排列的一维晶格的不稳定性就称为一维Peierls不稳定性。晶格发生位移后,两个靠近的原子形成了一个新的原胞,这种两两配对组成新原胞的过程称为二聚化。二聚化后体系的总能量(电子能量和晶格弹性能之和)降低了。因而,对一维体系,如果费米面的位置kF与布里渊区边界kB不重合,Peierls不稳定性将会使晶格原子发生位移,使新的布里渊区边界落在费米面上,从而使体系的基态变为半导体或绝缘体。由此可见,尽管晶格每个原子都有一个导电的电子,但整个体系是不导电的。图1聚乙炔的二聚化(a).二聚化前(b).二聚化后(注:图中原

5、子黑白只表示原子的奇偶)对导电高聚物的研究中,S.Kivelson[4]首先提出聚乙炔的边界条件与性质密切相关,见图2。在周期边界条件下,孤子只存在于奇数格点的闭合链,极化子则只存在偶数个格点的闭合链。李景德等[5]在研究介电极化子时提出了边界屏蔽理论,强调了边界条件对系统稳定的重要作用。一般说来,边界条件对有限体系的各种非线性激发有着重要的影响。图2周期边界条件下奇数体系和偶数体系的缺陷态(a)基态(b)孤子(c)极化子3孤子――反式聚乙炔中的激发态首先,反式聚乙炔共有两个相(基态)A、B相,其A、B相可以看作是镜面对称的,即A相与B相互为对称,故其基态能量相等。当体系受到某种激发(假定从A

6、相到B相),则激发过程中的能量只能分布于畴壁中,畴壁外的部分能量不变,设所需的能量为Es5。我们取A相到B相为正畴壁、B相到A相为反畴壁。畴壁可在整个链上移动。由于畴壁中原子能量分布使能量减小,体系已不提供改变畴壁形状能量,因而畴壁是稳定的。该类孤子的结构如图3所示。图3正反畴壁结构(一)其次,在碳链上激发起孤子之后,在畴壁范围内,晶格原子的分布不再是A相或B相,破坏了原来的周期性;而在畴壁之外,晶格仍保持着原来的周期性势场,因而孤子所引起的势场畸变是定域的,只限于孤子范围内。对于二聚化后价、导带相对于能隙是中心对称的,而孤子的形成也是左右对称的,孤子所产生的电子定域态的能级εS将位于能隙中央

7、(见图4),对聚乙炔其费米能级EF亦该在能隙中央,这样便有εS=EF。当孤子出现后,能隙中央出现了状态,即此时,原来导带的状态被移到能隙中央。能隙中多出一个状态,那么,相应的价态中少一个状态,由于孤子状态相对于价、导带是对称的,同时价、导带自身也是对称的,因而,价、导带中状态的减少也应相同,这就出现了所谓的半个状态,这里以孤子-反孤子对中的电子结构简要示意(见图4)。图4正反畴壁结构(二)4极化子

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。