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1、SJ中华人民共和国电子行业标准sJ/T10584-94微电子学光掩蔽技术术语Termsofphotomaskingtechnologyformicroelectronics1994-08-08发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部发布目次I.图形术语························“·················”··········.’···”······“···············⋯⋯(1)2.感光材料术语,·,,.⋯⋯,’,,···‘···········,·············“谁··········
2、··················一(3)3.掩模版术语················“···················”·”········”······························⋯⋯(5)4.曝光和蚀刻术语················,······⋯⋯,’“”················,······,.·········“⋯C7)5.电子束制版术语········,,·“························································”··⋯⋯(10)6.掩
3、模质量参数术语···························.,··········,.···············”······..·.·⋯⋯(13)7.掩模设备术语,,·,····························,··,··,’‘·····,····‘························,·····⋯⋯(18)8.附录A汉语索引(补充件)⋯,’··一”··⋯⋯‘·····································⋯⋯”(20)9.附录8英文索引(补充件)················“
4、·”·“·············“············,..”·一(24)中华人民共和国电子行业标准微电子学光掩蔽技术术语s,l/T10584-94Termsofphotomaskingtechnologyformicroelectronics本标准规定了微电子学光掩蔽技术的有关术语。本标准适用于微电子学光掩蔽技术的科研、生产、教学、贸易和技术交流.图形术语1底图masterdrawing用来制作原图的原始图样。2原图artwork用绘制方法,或在玻璃板和在薄膜基片上,用切割、剥离掩蔽膜的方法而形成的图形,经接触复印或将其缩小并分步重复照相后,
5、可制成光掩模或中间掩模。3布局图layout以适当位置排列出的单个器件所要求的全部几何图形组成的放大图样。4组合图。ompositedrawing包含单个器件要求的所有几何图形,并以适当方位排列的放大图样。用作红膜人工切割的准则或计算机辅助设计(参见CAD)的数字化准则.在初缩版产生的各个阶段绘制的一系列彩色图,也可认为是组合图。组合图适用于检查设计误差.注:器件包括分立器件和集成电路。同义词:原图;设计图(工程图)。5图象image布图中呈现的任何单元的几何图形。(1)作为底图或布图一部分的绘制图形。(2)投影在屏幕上或目视的光学图象,通常经过按比
6、例的放大或缩小。(3)被氧化的硅片上刻蚀出的二氧化硅图(含其它介质层)。(4)光掩模上照相底片或干板乳胶层中的图象。(5)涂在基片上的光致抗蚀剂层经曝光和显影后生成的图形.同义词:图形。6功能图形functionalpattern使用光致抗蚀剂涂层的特定制造工序所要求的全体同类图象。如:在蚀刻集成电路的基区氧化层的典型工艺中,功能图形包括呈现在此工序中集成电路布局图上的所有基区扩散电阻窗口、电极窗口、基区测试图以及对准标记。7测试图形testpattern,中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01实施一t—s,1/T105
7、84-94在光掩模上用于对准、测试或两者兼用的图形。8阵列array作为一个整体呈现在基片上或由分步重复在照相材料上所产生的全部同类功能图形。9行row沿光掩模X轴排列的功能图形族。10列column沿光掩模Y轴排列的功能图形族。11基元element组成光掩模阵列的任一构件。基元可构成用以制造单个集成电路的功能层,或构成供测试用的图形(可代替芯片、管芯)。12单元singlesegment利用缩图法从原图得到的一个单一功能图形。单一功能图形可以是一个器件或是有一定电学功能的模块。将其分步重复可形成功能图形阵列。13功能基元functionalele
8、ment构成器件并对该器件执行电学功能所不可缺少的相互邻接的任一构件。例如:扩散区、沟道、栅、电极接触孔等等
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