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《申请号cn.名称防反射膜、其制造方法、光学元件以及图像》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、------------------------------------------------------------申请号:CN03805414.0名称:防反射膜、其制造方法、光学元件以及图像显示装置主分类号:G02B1/11(2006.01)I分类号:G02B1/11(2006.01)I申请(专利权)人:日东电工株式会社发明(设计)人:宫武稔;吉冈昌宏;增田友昭;北川笃;鹰尾宽行;白水香织公开(公告)日:2007.07.04公开(公告)号:CN1324329专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司代理人:朱丹申请日:2003
2、.03.12地址:日本大阪府摘要:本发明的防反射膜中,在透明基材薄膜的至少一面上直接或通过介入其它的层形成有防反射层。所述防反射层是由折射率满足nd20≤1.49的至少两种低折射率材料形成。本发明的防反射膜具有由低折射率材料形成的防反射层,其防反射特性和耐擦伤性优良。此外,通过介入具有由微粒子形成的凹凸形状表面的硬膜层等而设置防反射层,可以获得防眩性优良的防反射膜。主权项:权利要求书1.一种防反射膜,在透明基材薄膜的至少一面上直接或通过介入其它层形成有防反射层,其特征在于,所述防反射层由折
3、射率满足nd20≤1.49的至少两种低折射率材料形成,且所述防反射层形成为:由以含氟材料为主成分的区域和以聚硅氧烷结构为主成分的区域形成了不同区域的分离结构。------------------------------------------------------------申请号:CN02809493.X名称:光学透镜母材、光学透镜以及光学透镜的制造方法主分类号:G02B3/00(2006.01)I分类号:G02B3/00(2006.01)I;C03B23/047(2006.01)I;C03B21/02(2006.01)I;G0
4、2B27/09(2006.01)I申请(专利权)人:浜松光子学株式会社发明(设计)人:楠山泰公开(公告)日:2007.07.04公开(公告)号:CN1324330专利代理机构:上海市华诚律师事务所代理人:徐申民申请日:2002.05.08地址:日本静冈县滨松市摘要:本发明的光学透镜制造方法的特征在于,包含:制作具备在一个侧面上作为光学作用部起作用的第1曲面部、在第1曲面部的相反侧的侧面上形成的平面部、以及在平面部的两侧形成的一对倒角面的线材拉伸处理用母材的线材拉伸处理用光学透镜母材制作工序、将线材拉伸处理用光学透镜母材(40)拉伸到
5、所希望的外径的线材拉伸处理工序、以及将线材拉伸处理后的线材拉伸处理用光学透镜母材切断加工,制作光学透镜的光学透镜制作工序。这种制造方法由于形成有一对倒角面,能够抑制线材拉伸处理引起的应变的发生。主权项:权利要求书1.一种线材拉伸处理用光学透镜母材,利用透光性材料形成柱状,其特征在于,具备:在一个侧面上形成的第1曲面部、在所述第1曲面部的相反侧的侧面上形成的平面部、在所述第1曲面部与所述平面部之间形成的一对平行于柱轴方向的侧部平面部、以及在所述侧部平面部与所述平面部之间的边界上沿着柱轴方向形成的一对倒角面。--------------
6、----------------------------------------------申请号:CN02817533.6名称:相邻点图案之间无重叠或无过大距离的图案数据的产生主分类号:G02B5/02(2006.01)I分类号:G02B5/02(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I申请(专利权)人:日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社发明(设计)人:加纳博司;铃木照晃公开(公告)日:2007.07.04公开(公告)号:CN13
7、24331专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司代理人:朱进桂申请日:2002.09.05地址:日本东京都摘要:公开了一种用于产生针对随机设置在反射液晶显示设备的反射基片的表面上的不平坦的图案数据的设备。从数据输入单元输入坐标数、基本间隔、可移动范围和点直径。阵列发生单元依照基本间隔二维有规律地设置基本坐标。坐标移动单元在部分基本坐标处、在可移动范围内随机移动,以产生多个移动后的坐标。图案发生单元在所产生的移动后的坐标中的每一个处设置具有所输入的点直径的点图案,以产生图案数据。主权项:权利要求书1、一种用于产生随机设置的不平坦的
8、图案数据的设备,所述设备包括:数据输入装置,用于输入基本间隔、可移动范围和点直径;阵列发生装置,根据所述数据输入装置输入的所述基本间隔二维有规律地设置多个基础坐标;坐标移动装置,用于在可移动范围内随机移动由所述阵列发生装置设置的所述基
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