新型微电子器件及ic

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1、新型微电子器件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜新型微电子器件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现

2、1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜新型微电子器件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜新型微电子器件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成

3、功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜新型微电子器件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜新型微电子器

4、件及IC>　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40〜5〇ps。目前，门阵列的集成规模已达5万门。还用SiECL研制成了32位CISC和64位RISC微机。MOS电路也取得了迅速的发展，预测到九十年代末，集成规模将超过250万门/芯片。　　在微波应用方面，硅微波低噪声器件在七十年代进入X波段后，便处于

5、接近极限水平状态，而功率器件直到八十年代初期，在L和S波段仍迅速发展，在C波段乃至X波段，则受到GaAsMESFET的挑战而失去了大部分阵地。尽管如此，在6GHz以下的信号放大和18GHz以下的振荡应用中，仍为可用的微波器件之一。　　HEMT是迄今已开发成功的最有希望的微波和高速器件之一。它采用i-GaAs/n-AlGaAs调制渗杂结构，在i-GaAs层中形成2DEG沟道，由于它与电子供给层(n-AlGaAs)在空间上是分开的，消除了离化施主杂质的散射，故能显著提高电子迁移率，并因而得名。值得注意的是，它可以在非常薄的沟道中，获得很高的薄层载流子密度，且栅与2DEG沟道距离短，

6、易于减少短沟效应。近十年里，HEMT在低噪声领域里，已获得举世公认的成就，是最适于毫米波低端应用的器件之一。　　赝配HEMT(P-HEMT)是用i-InGaAs代替HEMT中的i-GaAs而构成的。因为InGaAs作为沟道，有更高的频率和更快的速度，易于消除DX中心的影响和更有利于对载流子的限制，且适于功率应用。P-HEMT的一个重要改进是采用Si平面掺杂结构，它成功地解决了有源层掺杂浓度和栅长之间的折衷处理问题。S平面掺杂的双异质结P-HEMT已成为最有希望的毫米波功率器件，小栅宽器件已取得了94GHz下输出57mW的卓越性能。　　磷化铟基HEMT(InP-HEMT)是以In

7、P为衬底、InGaAs为沟道，AlInAs为电子供给层的HEMT，它除具备InGaAs沟道材料的比GaAs更髙电子迁移率和更快漂移速度的特点外，AlInAs/GalnAs异质结界面有更大的导带不连续性，对载流子有更好的限制，加之Si在AlinAs中有更髙的掺杂效率，因此能获得更髙的2DEG密度。这些特点对于提高器件的频率和跨导以及降低噪声提高增益都有贡献。InP-HEMT是目前最适于毫米波髙端应用的低噪声器件，在其1987年诞生后的两三年里，工作频率就提高到W波段，噪声系数也降到了令人惊奇的