专升本《微电子器件与IC设计》_试卷_答案.doc

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1、专升本《微电子器件与IC设计》一、（共71题,共150分）1.电阻率小于的材料称为（）。（2分）A.导体B.绝缘体C.半导体.标准答案：A2.半导体硅材料的晶格结构是（）。（2分）A.金刚石B.闪锌矿C.纤锌矿.标准答案：A3.施主杂质电离后向半导体提供（）。（2分）A.空穴B.电子C.空穴与电子.标准答案：B4.砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（）。（2分）A..标准答案：A5.室温下，半导体Si中掺硼的浓度为，同时掺有浓度为的磷，空穴浓度为（）。（已知:室温下）（2分）A.B.C..标准答案：C6.室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（），（已

2、知:室温下）（2分）A.B.C..标准答案：C7.载流子的漂移运动产生（）电流。（2分）A.漂移B.隧道C.扩散.标准答案：A8.平衡状态下半导体中载流子浓度载流子的产生率等于复合率，而当时，载流子的复合率（）产生率。（2分）A.大于B.等于C.小于.标准答案：C9.MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（）。（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）（2分）A.VS=VBB.VS=2VBC.VS=0.标准答案：B10.在开关器件及与之相关的电路制造中，（）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。（2分）A..标准答案：C11.平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（）。（

3、2分）A.发射区B.基区C.集电区.标准答案：A12.下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（）。（2分）A.金属、B.半导体、C.绝缘体.标准答案：C13.在下列半导体中，费米能级最高的是（）。（2分）A.强P型B.弱P型C.强N型.标准答案：C14.位错是半导体材料中的一种常见的（）。（2分）A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷.标准答案：B15.半导体的电导率随掺杂浓度的增加而（）。（2分）A.增加B.减小C.不变.标准答案：A16.根据成分的不同，半导体材料可以分为两类，分别是____________________和____________________。（4分）.标准答案：

4、1.元素半导体;2.化合物半导体。;17.PN结电击穿的产生机构两种，分别是________________和________________。（4分）.标准答案：1.雪崩击穿;2.隧道击穿或齐纳击穿。;18.当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为________，对于窄沟道器件对VT的影响为________。（4分）.标准答案：1.下降;2.上升;19.平衡状态下，我们用统一的费米能级ＥＦ来标志电子填充能级的水平，在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用________________________（ＥＦn）来衡

5、量，价带中电子填充能级的水平是用________________________（ＥＦp）来衡量。（4分）.标准答案：1.导带费米能级;2.价带费米能级;20.在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫________________。（2分）.标准答案：1.击穿电压;21.在开关器件及与之相关的电路制造中，________________已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。（2分）.标准答案：1.掺金工艺;22.电阻率小于的材料称为（）。（2分）A.导体B.绝缘体C.半导体.标准答案：A23.下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（）。（2分）A.金属B

6、.半导体C.绝缘体.标准答案：C24.受主杂质电离后向半导体提供（）。（2分）A.空穴B.电子C.空穴与电子.标准答案：A25.衡量电子填充能级水平的是（）。（2分）A.施主能级B.费米能级C.受主能级.标准答案：B26.室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，费米能级（）；（已知:室温下）（2分）A.高于EiB.低于EiC.等于Ei.标准答案：A27.室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（），（已知:室温下）（2分）A.B.C..标准答案：C28.下列器件属于多子器件的是（）。（2分）A.稳压二极管B.肖特基二极管C.发光二极管.标准答

7、案：B29.实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（）。（2分）A.重掺杂的半导体与金属接触B.轻掺杂的半导体与金属接触C.中等掺杂的半导体与金属接触.标准答案：A30.晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（）。（2分）A.较厚B.较薄C.很薄.标准答案：C31.在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（）。（2分）A.饱和电压B.击穿电压C.开启电压.标准答案：B32.平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（）。（2分）A.发射区B.基区C.集电区