dicing tape与 die saw 制程

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1、DicingTape与DieSaw制程一般在切割（DIESAW）的过程中最容易发生问题的地方有二个，FreeDice和Chipping。一、FreeDiceFreeDice发生的原因：1、粘着面不清洁。2、TAPE与被粘着面粘力不足。粘着面不清洁的解决方法：一般使用者遇到FreeDice的问题时，通常都只考虑到粘力不足，不常考虑到Waferbacksurface与Substrate贴合面的状态，清洗贴合面有助于增加Tape的贴合面，通常使用的清洗方法大致有两种：1、超声波清洗。2、电将清洗。TAPE与被粘着面粘力不足通常粘力=（Tape与Die的接触面积）×（Tap

2、e对Wafer或Substrate背面的粘度）所以当Die越小，或是Tape粘度低时会产生FreeDice的机会说越多。针对FreeDice的解决方法：1、选用粘度较大而unwindingforce又不太高的Tape。2、增加Tape与Die背面的接触面积（MOUNT之后CURE）。为了增加Tape与Wafer的接触面积，可分为Pre-cure（预热）与MOUNT之后烘烤两种，Pre-cure主要是在MOUNT之前利用WaferChuckTable加温，达到TapeMOUNT到Wafer时Tape的胶层稍微软化，达到较好的贴合效果。MOUNT之后的烘烤，主要是Pre

3、-cure的效果没有达到的需要的粘力，所以用此方法，预防在DieSaw过程中发生FreeDice现象。TAPE的化学特性Wafer由于在BackGrinding后有TTV值的存在，表示并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使胶层软化，以达到填充WaferBackSide的微小凹面，使Tape与WaferBackSide的接触面增加，以达到增加粘力的效果。Adhesion(gf/20cm)A’120AB2360Temperature(℃)由图可知，当胶层温度由23℃上升到60℃时（由A到B），胶层的粘度变小，但胶的流动性变大，使胶层比较容易渗入不平整的Wafer背面，以增加接

4、触面积，当Wafer要Saw之前，胶层又回到原来的温度（B到A’），因为胶对温度的变化是一种不可逆的过程，所以A不等于A’。烘烤前Tape与Wafer的粘力=（A的粘度）×（烘烤前Tape与Wafer的接触面积）烘烤后Tape与Wafer的粘力=（A’的粘度）×（烘烤前Tape与Wafer的接触面积）由于并非长时间烘烤，所以A的粘度与A’的粘度并不会大幅改变，主要改变粘力的因素在于Tape与Wafer的接触面积的增加。Tape与Wafer的接触面积（%）100%60℃热源烘烤曲线50℃热源烘烤曲线12345烘烤时间（min）用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，当

5、TapeMount到SiWafer的BackSide后以60℃热源烘烤三分钟其Tape与Wafer的接触面积已经达到80%以上，此时若再继续烘烤十分钟最多增加10%，所以我们可以得出结论，虽然烤的越久，Tape与Wafer的接触面积增加越多所以越粘，但后面的烘烤时间也会越没效率。烘烤的缺点：烘烤的目的就是要增加粘性，对解决FreeDice而言当然越粘越好，但对于DieBond而言，Tape越粘，顶针的力量就越大，对Wafer背面留下的伤痕的机会也越大，所以建议您使用DicingTape时，如果Dice的尺寸小于2mm×2mm，或是您有如上述顶针刮痕的问题，我们建议使

6、用UVTape。二、ChippingChipping大约可分为：(1)UpSideChipping;(2)BackSideChipping;(3)AngleChipping;(4)CrackChipping。发生Chipping的原因大致可分为三大因素：（A）刀具因素；（B）Wafer材料的因素；（C）Tape因素。这里主要针对Tape因素加以讨论：（A）刀具因素以下条件越容易发生Chipping：1、切割速度越快；2、刀具主轴转速越快；3、Dice越小；4、DIWater喷的越少；（B）Wafer材料的因素1、有Passivation的Wafer会比MirrorW

7、afer较容易发生Chipping；2、较薄的Wafer较容易发生Chipping；（C）Tape因素1、Chipping的位置：一般Chipping发生时应该都会在Dice的同一边，对Dice而言，第4个切割边常是最容易发生Chipping的地方。AXIS　ＣＵＴ3rd2nd1st4th主要原因为：(1)其切割地方的前方已经存在DicingLine。(2)对Dice而言,切割边就是最后一个支撑边,如果没有很优良的Tape做为切割平台,Wafer很容易发生Chipping。2、Tape的制造误差制造误差越小，Tape的表面越平整，Chipping的问题就越小。解