附3.光学与电子信息学院学院（系）硕士博士研究生课程简

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1、附3．光学与电子信息学院学院（系）硕士/博士研究生课程简介课程名称：集成微电子器件课程代码：182.603英文名称：IntegratedMicroelectronicDevices课程类型：■高水平课程□国际化课程□高水平国际化课程□一般课程课程类别：■一级学科基础程□二级学科基础课程□专业课程考核方式：开卷考试教学方式：讲授适用层次：硕士■博士□开课学期：第一学期总学时/讲授学时：40/40学分：2.5适用专业：微电子学与固体电子学课程组教师姓名职称专业年龄学术专长徐静平教授微电子学与固体电子学57微电子器件刘璐讲师微电子学与固体电子学29半导体存储器课程教学大纲：第一

2、章MOSFETI：物理效应和模型1.1MOS结构及其特性1.2MOSFET结构及工作原理1.3MOSFET阈值电压1.4MOSFET漏源电流模型基本方程萨支唐方程体电荷模型亚阈电流模型连续性模型沟长调制效应1.5改进的短沟道MOSFET模型长沟模型的限制短沟道效应迁移率退化载流子速度饱和短沟道MOSFET漏源电流关于MOSFET等比缩小和短沟道模型的讨论1.6小信号模型1.7短沟道MOSFET的特殊效应多晶硅耗尽高-k栅介质栅致漏极漏电（GIDL）反短沟道效应反型沟道的量子效应漏致势垒降低(DIBL)效应1.8CMOS设计及工艺简介CMOS设计考虑MOSFET参数及其抽取

3、CMOS闩锁效应CMOS倒相器制备工艺第一章MOSFETII：高场效应2.1速度饱和区电场准二维模型2.2衬底电流热载流子效应衬底电流模型衬底电流对漏源电流的影响2.3栅电流幸运电子模型低栅压下载流子注入p沟MOSFET的栅电流2.4器件退化n-MOSFET退化机理n-MOSFET退化的表征器件寿命的加速试验减小漏极场的器件结构p-MOSFET的退化2.5特殊MOSFET和MOS结构非挥发性存储器MOSFETSRAMDRAMFlashMemoryCCD和CMOS成像器第二章异质结器件3.1异质结基本概念能带图3.2异质结双极晶体管（HBT）基本结构，工作原理，基本特性，S

4、i/GeHBT,HBT集成电路3.3高电子迁移率晶体管（HEMT）基本结构和工作原理，基本特性，制造工艺，HEMT的IC技术第三章各种新型场效应器件各种新型场效应器件专题使用教材：1．N．艾罗拉著，张兴等译，用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型――理论与实践主要参考书：1.R.S.MullerandT.I.Kamins,DeviceElectronicsforIntegratedCircuits,ThirdEdition2.B.G.Streetman,S.Banerjee,SolidStateElectronicDevices,FifthEdition该课程所属基层教学

5、组织（教研室、系）专家小组意见：（该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与本科生课程重复？是否有稳定的课程组和授课教师队伍？）专家组长专家年月日