led电学光学热学特性参数

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1、LED主要参数及电学、光学、热学特性    LED电子显示屏是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。   1、LED电学特性   1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。   如左图：   (1)正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服

2、不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。   （2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系   IF=IS(eqVF/KT–1)-------------------------IS为反向饱和电流。   V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KT   （3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压 V=-VR时，反向漏电流IR（V=-5V）时，GaP为0V，GaN为

3、10uA。   （4）反向击穿区V＜-VR，VR称为反向击穿电压；VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜-VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。   1.2C-V特性   鉴于LED的芯片有9×9mil(250×250um)，10×10mil，11×11mil(280×280um)，12×12mil(300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。   C-V特性呈二次函数关系（如图2

4、）。由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。   1.3最大允许功耗PFm   当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IF   LED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P=KT（Tj–Ta）。   1.4响应时间   响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD（液晶显示）约10-3~10-5S，CRT、PDP、

5、LED都达到10-6~10-7S（us级）。   ①响应时间从使用角度来看，就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，即图中tr、tf。图中t0值很小，可忽略。   ②响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。   LED的点亮时间——上升时间tr是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。   LED熄灭时间——下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。   不同材料制得的LED响应时间各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响

6、应时间＜10-9S，GaP为10-7S。因此它们可用在10~100MHZ高频系统。2LED光学特性   发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学特性。   2.1发光法向光强及其角分布Iθ   2.1.1发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。

7、   2.1.2发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否）   ⑴为获得高指向性的角分布（如图1）   ①LED管芯位置离模粒头远些；   ②使用圆锥状（子弹头）的模粒头；   ③封装的环氧树脂中勿加散射剂。   采取上述措施可使LED2θ1/2=6°左右，大大提高了指向性。   ⑵当前几种常用封装的散射角（2θ1/2角）圆形LED：5°、10°、30°、45°   2.2发光峰值波长及其光谱分布   ⑴LED发光

8、强度或光功率输出随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线——光谱分布曲线。当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。   LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。   下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。其中LED光谱分布曲线   1蓝光InGaN/GaN2绿光GaP:N3红光GaP:Zn-O   4红外GaAs5Si光敏光