数字电子技术基础复习材料

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1、明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考点复习资料进第二章逻辑代数基础1、逻辑函数的表示方法逻辑真值表、逻辑函数表达式、逻辑图、波形图、卡诺图和硬件描述语言等。其中真值表、卡诺图具有唯一性2、真值表写出逻辑函数式1、找出真值表中使Y=1的输入变量取值组合。2、每组输入变量取值对应一个乘积项，其中取值为1的写原变量，取值为0的写反变量。3、将这些变量相加即得Y。3、最小项m定义•m是乘积项•包含n个因子•n个变量均以原变量和反变量的形式在m中出现一次4、最小项的性质•在输入变量任一取值下，有且仅有一个最小项的值为1。•全体最小项之和为1。•任何两个最小项

2、之积为0。•两个相邻的最小项之和可以合并，消去一对因子，只留下公共因子。------相邻：仅一个变量不同的最小项如5、最大项的定义•M是相加项；•包含n个因子。•n个变量均以原变量和反变量的形式在M中出现一次6、最大项的性质•在输入变量任一取值下，有且仅有一个最大项的值为0；•全体最大项之积为0；•任何两个最大项之和为1；•只有一个变量不同的最大项的乘积等于各相同变量之和。如：(A+B+C)(A+B+C′)=A+B7、例题：逻辑函数最小项之和的形式8、逻辑函数的卡诺图表示法•实质：将逻辑函数的最小项之和的以图形的方式表示出来•以2n个小方块分别代表n变量的所有最小项，并将它们排

3、列成矩阵，而且使几何位置相邻的两个最小项在逻辑上也是相邻的（只有一个变量不同），就得到表示n变量全部最小项的卡诺图。9、用卡诺图合并最小项的原则：-21-明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考点复习资料进•两个相邻最小项可合并为一项，消去一对因子•四个排成矩形的相邻最小项可合并为一项，消去两对因子•八个相邻最小项可合并为一项，消去三对因子10、卡诺图化简的原则•化简后的乘积项应包含函数式的所有最小项，即覆盖图中所有的1。•乘积项的数目最少，即圈成的矩形最少。•每个乘积项因子最少，即圈成的矩形最大。注：卡诺图化简结果不是唯一的第三章门电路11、半导体二

4、极管开关条件、特征•正向压降大于0.7V，导通，正向压降小于0.7V，截止。•正向导通电阻为0，反向内阻无穷大、导通后电压保持不变。12、二极管与门设VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7V规定3V以上为1，0.7V以下为013、二极管或门设VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7V14、CMOS反向管的电压、电流传输特性电流传输特性电压传输特性-21-明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考点复习资料进15、漏极开路的门电路（OD门）注意！OD门工作时必须将输出经上拉电阻RL接到电

5、源上16、CMOS传输门·利用P沟道MOS管和N沟道MOS管的互补性可以接成如图所示的CMOS传输门即C=1，C′=0导通17、双极型三极管的开关特性•因为在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称三极管为双极性型三极管18、TTL反向器的电压传输特性截止区-21-明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考点复习资料进线性区转折区截止区19、TTL反向器输入端经电阻接地时的等效电路·若输入端通过电阻接地，一般地，①RP≤0.69KΩ时，构成低电平输入方式②②当RP≥1.5KΩ时，构成高电平输入方式20、集电极开路的门电路（OC门）推拉式输出电路结构

6、的局限性①输出电平不可调②负载能力不强，尤其是高电平输出③输出端不能并联使用④利用OC门同样能接成线与结构以及实现输出与输入之间的电平转换OC门输出并联的接法级逻辑图-21-明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考点复习资料进OC门在工作时同样要在外接负载电阻与电源21、怎样缩短传输门的延迟时间、提高开关的工作速度①使用抗饱和三极管②引入有源泄放电路③降低饱和深度第四章组合逻辑电路22、组合逻辑电路的特点•从功能上时刻的输出仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关•从结构上不含记忆（存储）元件23、组合逻辑电路的分析方法①路是输入到输出逐级写出逻辑函

7、数式②化简③填写真值表④从真值表中得到电路逻辑功能24、组合逻辑电路的设计方法①进行逻辑抽象②写出逻辑函数式③选定器件的类型④将逻辑函数式化简或变换成适当的形式⑤根据简化后的逻辑函数式画出逻辑电路的连接图25、编码器①普通编码器②优先编码器（只对其中优先权最高的一个进行编码）编码器在任何一个时刻都只能对一个编码信号进行编码26、译码器集成译码器实例：74HC138最小项译码器27、半导体数码管内部接法•有阴极与阳极接法-21-明德厚学爱国荣校核工程与核技术10202101班数字电子技术基础考