桂林电子科技大学实习报告

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1、桂林电子科技大学生产实习报告   系别电子信息工程系学生姓名学号专业名称电子信息工程技术指导教师实习单位冠捷显示科技（厦门）有限公司   2011年10月7日     冠捷显示科技（厦门）有限公司毕业生产实习报告一、实习目的生产实习是自动化专业教学计划中重要的实践性教学环节，是对学生进行专业基本训练，培养实践动手能力和向实践学习，理论联系实际的重要课程。   通过直接面向工厂、企业开展的认识实习环节的教学，巩固已学专业基础课和部分专业课程的有关知识，并为后续专业课的学习作必要的知识准备；通过实习，学习本专业的实际生产操作

2、技能，了解更多的专业技术知识及应用状况，拓宽专业知识面；通过实习，培养学生理论联系实际的工作作风，树立安全第一的生产观念，提高分析问题、解决问题的独立工作能力；通过实习，加深学生对专业的理解和认识，为进一步开展专业课程的学习创造条件。  生产实习是自动化教学与生产实际相结合的重要实践性教学环节，是对专业技能的基本训练，培养实践动手能力向实践学习、理论联系实践的重要课程。在生产实习过程中，以培养学生观察问题、解决问题和向生产实际学习的能力和方法为目标。培养团结合作精神，牢固树立我们的群体意识，即个人智慧只有在融入集体之中才

3、能最大限度地发挥作用。二、实习的基本概况实习时间：2011年8月7号至2011年9月29号地点：冠捷显示科技（厦门）有限公司TFT—LCD屏的主要工艺流程比较复杂，总体讲可分为三个大的流程:array、cell、module。其中array主要是将玻璃基板进行镀膜、光刻等处理使其具有一定的光学性能；cell是将array工艺后的产品加入液晶颗粒，粘合在一起，然后把打的板块切割成所需要的尺寸；module是将cell产品和其他的显示器部件组合装配的过程。TFT-LCD的制造工艺有以下几部分：在TFT基板上形成TFT阵列；在

4、彩色滤光片基板上形成彩色滤光图案及ITO导电层；用两块基板形成液晶盒；安装外围电路、组装背光源等的模块组装。　　在TFT基板上形成TFT阵列的工艺现已实现产业化的TFT类型包括：非晶硅TFT（a-SiTFT）、多晶硅TFT（p-SiTFT）、单晶硅TFT(c-SiTFT)几种。目前使用最多的仍是a-SiTFT。　　a-SiTFT的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用PECVD法进行连续成膜，形成SiNx膜、非掺杂a-Si膜，掺磷n+

5、a-Si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成TFT部分的a-Si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ITO膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅极端部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将AL等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成TFT的源极、漏极以及信号线图案。最后用PECVD法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形，(该保护膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护)。至此，整个工艺流程完成。　TFT阵列工艺是TFT-LCD制造工艺的关键,也是设备投资

6、最多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。在彩色滤光片（CF）基板上形成彩色滤光图案的工艺彩色滤光片着色部分的形成方法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。颜料分散法的第一步是将颗粒均匀的微细颜料（平均粒径小于0.1μm）(R、G、B三色)分散在透明感光树脂中。然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺方法，依次形成R.G.B三色图案。在制造中使用光蚀刻技术，所用装置主要是涂敷、曝光、显影装置。为了防止漏光，在RGB三色交界处一般都要加黑矩阵（BM）。以往多用溅射法形成单层

7、金属铬膜，现在也有改用金属铬和氧化铬复合型的BM膜或树脂混合碳的树脂型BM。此外，还需要在BM上制做一层保护膜及形成IT0电极,由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有TFT的后基板一起构成液晶盒。所以必须关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与TFT基板各像素相对应。液晶盒的制备工艺　首先是在上下基板表面分别涂敷聚酰亚胺膜并通过摩擦工艺，形成可诱导分子按要求排列的取向膜。之后在TFT阵列基板周边布好密封胶材料，并在基板上喷洒衬垫。同时在CF基板的透明电极末端涂布银浆。然后将两块基板对位粘接，使CF图案与TFT像

8、素图案一一对正，再经热处理使密封材料固化。在印刷密封材料时，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。　　近年来,随着技术进步和基板尺寸的不断加大,在盒的制做工艺上也有很大的改进,比较有代表性的是灌晶方式的改变,从原来的成盒后灌注改为ODF法,即灌晶与成盒同步进行。另外.垫衬方式也不再采用传统的喷洒法,而是直接在阵列上用光刻