反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性的研究

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性的研究第26卷第2期2010年4月苏??州??大??学??学??报(自然科学版)JOURNALOFSUZHOUUNIVERSITY(NATURALSCIENCEEDITION)Vol??26No.2Apr.2010王培君,江美福,辛??煜,杜记龙,戴永丰(苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006)摘??

2、要:以高纯石墨做靶、CHF3/Ar为源气体采用磁控溅射法在不同射频功率条件下制备了氟化类金刚石(F??DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕、拉曼光谱、红外光谱和摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌、硬度、键态结构以及摩擦学性能作了具体分析.测试结果表明,制备的薄膜整体较均匀致密,表现出了良好的抗磨减摩性能.当射频功率为120W时,薄膜的摩擦因数低至0.41左右.AFM和纳米压痕显示,薄膜摩擦因数受表面粗糙度和硬度影响,但并非成单调对应关系.拉曼和红外透射光谱表明,随着功率的增加,薄膜中的芳香环比例增加,sp3杂化含量减小,结果显示,CF2反振动

3、强度的减弱和C??C链中较少量H原子的键入都可能得到相对较低的薄膜摩擦因数.关键词:摩擦性能;射频输入功率;反应磁控溅射;氟化类金刚石薄膜——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------中图分类号:TB43????????文献标识码:A????????文章编号:1000-2073(2010)01-0066-07Tribolog

4、icalpropertiesoffluorinateddiamond??likecarbonfilmspreparedbyradiofrequencyreactivemagnetronsputteringWangPeijun,JiangMeifu,XinYu,DuJilong,DaiYongfeng(SchoolofPhysicalScience&Technology,SuzhouUniv.,Suzhou215006,China)Abstract:Thefluorinateddiamond??likecarbon(F??DLC)fil

5、mswerepreparedindifferentinputpow??ersbyradiofrequencyreactivemagnetronsputteringwithtrifluoromethane(CHF3)andargon(Ar)assourcegasandpuregraphiteasatarge.tSurfacemorphology,hardness,bondingconfigurationandtribologicalpropertieswereinvestigatedbyAtomicForceMicroscopy,Nanoind

6、enter,Raman——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------spectra,FTIRspectraaswellasaball??on??disktestrigrespectively.TheresultshowsthattheF??DLCfilmsweredistributedcompactlyandhomogene

7、ouslyandexhibitgoodfriction??reducingandanti??wearbehaviors.Theminimumoffrictioncoefficienthasreachedtoabout0.41at120W.AFMandNanoindenterindicatesthatfrictioncoefficientdependscloselyonroughnessandhardnessbutnotasimpleconnection.RamanandFTIRspectrarevealthatwiththeincreaseo

8、finputpowers,theinten??sityratioID/IGofRamanbandsofdisorderedgraphite(D??band)andg

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