关于灵芝菌种培养基质研究及高产管理要点论文

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1、关于灵芝菌种培养基质研究及高产管理要点论文.freelgS041。5克，KHZPO43克，维生素B;1克，琼脂20克，水1000毫升，pH自然。(3)马铃薯200克(煮汁)，蔗糖20克，蛋白脏2克，MgSO‘2克，维生素B:0.5克，KHzPQ‘艺克，水1000毫升，pH自然。(4)猛米扮50克，葡萄糖15克，蔗糖15克，碑脂20克，水1000毫升，pH自然。母种各处理分装15双80毋坦试管6支，重复二次，按常规灭菌、接独，28Oc恒握墙养。2.原种、栽培种培养基配方:籽壳99%，石膏i%(ek);(2)(粉碎)75%。鼓皮22%，蔗糖王%，石膏1%，

2、黄豆粉1%(或速核豆装攀);(冬)棉籽壳98%，黄豆粉1%，石膏1%;(4叉杂木屑78%，鼓皮20%，右膏1%，黄豆粉1%;(5)纯鼓皮99%，石膏1%;(6)麦粒(煮熟)99%，石膏1%;(了)山芋粉50%，棉子壳48%，黄豆粉1%，石膏1%。各处理料拌均后，每处理分装广口瓶5瓶(罐头瓶)，塑料袋4袋，重复二次，广口瓶每瓶折干料150克，塑料袋折干料500克，粉常规灭菌接种，“SOC恒温培养。3。栽培管理:上述各处理当菌丝发到半瓶(袋)左右，表面有一层较厚的菌皮，并有原基(菌蕾)出现后，去塞或解开牛皮纸进入培养室，卧放或正放在医用推车上。培养室湿度始

3、终保持90%左右，方法是车架四周围上潮纱布，顶面与后面的潮纱布上盖塑料薄膜，架子底层用塑料布围起扎好，存有2厘米左右的水层，迎光面开一扇窗尽可能通气，让原基尽快接触新鲜空气，加快生长速度，.再经一星期左右，菌柄伸长后，每日在子实体上喷透水3一4次，纱布潮湿3一弓次，始终保持95%的相对湿度，每日打开门窗通风4“5次，每次半小时左右，当菌盖向水平长出2一3圈时，在菌盖上下面喷透水。当子实体由淡黄色变为黄棕色，菌盖边缘开始变红，菌盖开始革质化，抱子散发即可及时采收。采收用锋利的小刀切割菌柄，留柄长0.5一1厘米左右，切口要平。采收后停止喷水1一2天，照前一

4、阶段相同管理、即可在原来的菌柄_L长出第二期子实体。二、结果分析(一)母种培养基:试验表明，不同的培养基上的生长和抗老化有明显差别，培养基(2)菌丝生长粗壮，抗老化能力强。培养基(1)最差。值得注意的是培养基(4)菌丝生长9天就满管，洁白粗壮与(2)相同，且(4)料源广，故(4)仍是较理想的母种培养基。(二)原种培养基:以(6)麦粒培养基发菌最快，菌丝粗壮，麦粒易松散，接种方便(灵芝菌丝坚韧，接种时不易切断菌丝)，是较理想的原种培养基。但麦粒成本高，易污染杂菌。培养基(2)和(7)长速虽比麦粒慢5天，但比对照(1)快11一13天，且菌丝白嫩、浓密，抗老

5、化性强，料源广，仍是不可忽视的较理想的原种培养基。(三)不同栽培种培养基的菇体形成和生长情况:菇体形成和生长以(7)山芋粉最佳。现蕾早、菌蕾多而粗，出菇整齐，污染率为零，生物学效率最高。培养基(5)纯数皮和(6)麦粒污染率都在50%以上。其原因是纯鼓皮培养基菌蕾沿瓶口联片状，菌濒生沃迟、慢，_瓶内菌皮建气萦蛆多，二_专喝一菌丝，逐渐在瓶内生菌蛆至使菌丝死亡、烂料、菌蕾萎死。麦粒培养基表面有的因菌膜覆盖不齐，菌皮也薄，在高温高湿条件下陆续污染了霉菌。且二种料成本高，‘故不宜作灵芝的栽培种培养基。试验表明，各处理袋栽的生物学效率均高于瓶栽，子实体也比瓶栽的

6、大。故应提倡用塑料袋大批生产灵芝。(四)高产管理要点:灵芝子实体生长的适宜条件是:需要充足的散射光，充足的氧气(CO:含量不能超过0.1%)，90一95%的空气相对湿度，适温为26一28oC。其要点如下:1.发好菌的栽培种进入培养室前，培养室必须进行消毒。2。当栽培种表面出现原基，并全部形成菌皮后才可去塞进入培养室，否则无菌皮处易污染霉菌。3.去塞时不能刮破菌皮和原基，否则不易再形成菌皮和原基。更不能象其它大型真菌那样去掉菌皮，如这样整个表面都易污染霉菌。4.灵芝有强的向光性，培养室光线亮度要均匀。栽培种放好位置后不要随便搬动，否则子实体总是向光强一面

7、生长从而造成子实体畸形。5.严格控制90一95%的空气相对湿度，放栽培种的底层要有1一2厘米的水层。每天向地面和墙四周喷水3一4次或在床架四周围上潮纱布。纱布每日潮水3一4次，即使温度偏低，子实体长速仍较快。6。当菌盖向水平方向伸长后，可向子实体喷透水，有较厚的菌皮不易滋长霉菌。当菌盖水平伸长2一3圈后，可向菌盖上面及、下面子实层喷透水，菌盖能由下面子实层向，水平方向伸长，则可加速菌盖的生长和增大菌盖的面积。每天向子实体喷透水3一4次。川_7.子实体对空气极为敏感，培养室华头门窗每天应开3一4次，每次半小时左右，以利通风换气。否则子实体易长成鹿角形或影

8、响子实体生长。8，室温达35oC以上时应及时多开窗通风换气。多喷透水降温，否则影响子实体形成和