模拟电路考纲(武汉理工大学)

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1、2012.12《模拟电子技术基础B》考试提纲一、考试提纲各章的考试知识点列举如下：1、半导体基础知识本章侧重于基本概念，相关知识点如下：模拟信号、束缚电子、空穴、电子空穴对、本征激发、半导体的特性、本征半导体、杂质半导体的形成、载流子、多子、少子、PN结的形成及特性。2、半导体二极管及其电路1）基本概念单向导电性、稳压二极管的特性。2）分析计算能够判断二极管在电路中的工作状态。能够利用二极管的理想模型推导电路的输出波形。能够根据稳压二极管的特性推导电路的输出波形。3、双极型三极管及其放大电路（本章为考试的重点章节）1）基本概念三极管的工作原理、三极管的电流分配关系、三极管具有

2、放大作用的内因和外因、在线电压测量法、在线电流测量法、直流负载线、交流负载线、静态工作点、三极管的小信号等效模型、饱和失真、截止失真、频率失真、频率特性。2）分析计算能够判断三极管放大电路的组态。能够分析三大组态（四种电路）的静态工作点、电压增益、输入电阻和输出电阻等相关参数。能够根据波特图分析电路的上、下限截止频率和中频增益。（不要求根据表达式作波特图）4、单极型场效应管及其放大电路本章侧重基本概念，相关知识点如下：场效应管的分类、场效应管的特点、夹断电压、开启电压、各种类型场效应管的转移特性。5、功率放大电路1）基本概念功放的分类、交越失真。2）分析计算能够计算OCL和O

3、TL电路的输出功率、管耗、电源供给功率和效率。6、集成运算放大电路1）基本概念差模信号、共模信号、共模抑制比2）分析计算能够计算差分放大电路的差模电压增益、共模电压增益、共模抑制比、差模输入电阻和差模输出电阻等相关参数。7、负反馈放大电路（本章为考试的重点章节）1）基本概念反馈的分类、负反馈的四种类型、负反馈的方框图、开环增益、闭环增益、反馈系数、反馈深度、深度负反馈、闭环增益的稳定性、各种类型负反馈的作用。2）分析计算能够判断电路中反馈的类型。能够根据方框图推导负反馈的闭环增益。能够计算负反馈放大电路的闭环增益。8、信号的运算与处理电路1）基本概念虚短、虚断。2）分析计算能

4、够分析放大电路的输出电压表达式。（含：比例、加法、减法、积分和微分电路）能够根据具体表达式设计运算电路。（含：比例、加法和减法电路）能够分析比较器的输出波形。（含单门限电压比较器和迟滞比较器）9、正弦波信号产生电路1）基本概念正弦波振荡的维持条件和产生条件、正弦波振荡电路的组成、RC串并联选频网络的特性。2）分析计算能够利用相位平衡条件判断电路有否可能振荡。10、直流稳压电源本章侧重基本概念，相关知识点如下：直流稳压电源的组成、各组成部分的作用。11、电子电路的OrCAD/PSpice仿真本章不考。二、考试题型填空题、单项选择题、多项选择题、改错题、电路参数的分析计算题和放大

5、电路的设计题等。名词解释、判断题、波形分析题和简答题不考。期中考试题目中涉及的下列内容期末不考（此外属于考试范围）：1、稳压管的输出波形分析。（期中考试第1题）2、共基极电路的分析计算。（期中考试第2题）3、多级放大电路的分析计算。（期中考试第3题）4、场效应管放大电路的静态分析。（期中考试第4题）5、差分式放大电路的分析计算。（期中考试第5题）6、功率放大电路的计算。（期中考试第6题）重要提示：请重点关注教材中各章的课后习题。样题（只反映题型，不代表真题）一、填空（30分，每空1分）1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的（1），而少数载流子的浓度则与（2）有很

6、大关系。2、半导体二极管当正偏时，势垒区（3），扩散电流（4）漂移电流。3、已知某三极管的1、2、3三个脚在线电压分别是V1＝7.8V,V2＝12V,V3＝11.3V，则1是（5）极，2是（6）极，3是（7）极，是（8）材料的（9）型三极管。4、只能放大电压，但不能放大电流的单管放大电路是（10）。5、射极输出器的输入电阻较（11），输出电阻较（12）。6、某放大电路，当输入电压为20mV时，输出电压为7V；当输入电压为45mV时，输出电压为6.5V（均为直流电压），则其电压放大倍数为（13）。7、放大电路对某电压信号放大，当输出端开路时，输出电压为10V；当接入一个15kΩ

7、的负载以后，输出电压下降为7.5V，则该电路的输出电阻是（14）。8、P沟道增强型MOS管的开启电压为（15）值。N沟道增强型MOS管的开启电压为（16）值。（15、16两空填正、负或零）9、三极管的输出特性曲线可分为（17）区、（18）区和（19）区。10、若要求同时增大放大电路的输入电阻和输出电阻，应引入（20）反馈。11、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（21），幅值平衡条件是（22）。为使振荡电路起振，其条件是（23）。12、频率为50Hz的输入信号作用到一个下限频率为100Hz