欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:9950663
大小:82.50 KB
页数:9页
时间:2018-05-16
《2006超声初试(闭卷)试题》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、考核号: 姓 名:密封线2006年度特种设备无损检测UT专业Ⅲ级人员理论试卷(闭卷)(参考答案) 成绩: 题号题型分值扣分阅卷人签章一是非题40二单项选择题30三问答题20四计算题10总计1002006年6月17日北京全国特种设备无损检测人员资格考核委员会一、是非题(在括号内正确的划“○”,错误的划“×”。每题2分,共40分)1、利用工件底波调节探伤灵敏度,当底面粗糙或有附着物时,将使底面反射率降低,底波下降,这样调整的探伤灵敏度将会偏低。(×)2、Y型管节点焊缝探伤中,存在探测不到的死区,随着探头折射角的增大,死区的
2、范围变小。(×)3、板波的速度不仅与介质的性质有关,还与波的频率及板厚的乘积有关。(○)4、超声波的频率远高于声波,所以超声波的能量远大于声波的能量。(○)5、对超声波而言,因为C=fλ,所以超声波的频率越高,传播速度越快。(×)6、随着横波斜探头K值的增大,第二介质中的近场区长度将减小。(○)7、聚焦探头具有声束细、测量精度高的优点;也有扫查范围小、探测效率低、灵敏度低的缺点。(×)8、超声波探伤仪接收电路的性能直接影响探伤仪垂直线性、动态范围、探伤灵敏度、分辨率等重要指标。(○)9、在声程大于三倍近场区长度以外范围,横波通用AVG曲线适用于不同频率
3、、不同晶片尺寸、不同K值的探头。(○)10、探头型号5I14SJ15XJ表示频率为5MHz、晶片材料为铌酸锂单晶、圆晶片直径为14mm、水中焦距为15mm的线聚焦水浸探头。(×)11、相对而言,裂纹的回波比较尖锐、波高较大,转动探头时,波峰有上下错动的现象。(○)12、小径管通常采用V型坡口,未熔合多出现在坡口面上,一般一次波探伤容易检出,位置位于探头一侧。(×)13、实际探伤中,为提高探伤速度减少杂波干扰,应将探伤灵敏度适当降低。(×)14、常用水浸聚焦探头的聚焦原理是:当透镜声速C1>C2(水的声速)时,凸透镜聚焦。(○)15、实际探伤时用CSK-
4、ⅢA试块制作距离-波幅曲线,并没有考虑二次波探伤时工件底面反射损失的影响。(○)16、超声波的扩散衰减与波阵面的形状及介质的性质有关。(×)17、界面两侧介质的声阻抗差别愈小,声压往复透射率就愈低。(×)818、检测铝焊缝时,可以在CSK-IA试块上测定斜探头入射点。(○)19、碳钢与不锈钢复合钢板,复合良好区基本上无界面回波。(○)20、斜探头斜楔前部开槽的目的是减少反射杂波。(○)二、单项选择题(将正确答案的代号填在括号内。每题2分,共30分)1、以下关于CSK-IA试块与IIW试块不同点的叙述,正确的是:(B)A、CSK-IA可用于测定直探头和仪
5、器的盲区,而IIW则不能;B、CSK-IA可用于测定横波斜探头分辨力,而IIW则不能;C、CSK-IA可用于横波斜探头探伤扫描线调节,而IIW则不能;D、CSK-IA可用于测定斜探头和仪器的灵敏度余量,而IIW则不能。2、以下关于双晶探头性能特点的叙述,错误的是:(A)A、灵敏度低;B、工件中近场区长度小;C、杂波少盲区小;D、主要用于检测近表面缺陷。3、以下有关锻件白点的叙述,错误的是:(C)A、白点通常出现在大截面锻件的中心部位;B、白点的回波为清晰的林状波;C、白点对底波的影响不大;D、一旦判断有白点,该锻件即为不合格。4、在C级焊缝探伤中用直探
6、头探测焊缝两侧母材,其目的是:(B)A、提高焊缝两侧母材的验收标准,以保证焊缝质量;B、探测可能影响斜探头探测结果的分层;C、防止焊接时产生焊接缺陷;D、以上都是。5、筒形锻件最主要的探测方向是:(C)A、用斜探头从外圆面轴向探测;B、用斜探头从外圆面周向探测;C、用直探头从端面和外圆面探测;D、以上都是。6、以下关于管节点焊缝探伤的叙述,错误的是:(D)A、常采用小晶片探头,改善耦合效果;B、为提高探伤灵敏度和分辨率,宜采用较高的频率;C、探伤时探头尽可能与焊缝保持垂直;D、一般采用水平法调节仪器的时基线比例。7、在检测条件相同的情况下,短横孔的直径
7、增加一倍,其回波升高:(A)8A、3dB;B、6dB;C、9dB;D、12dB。8、超声波倾斜入射到异质界面时,声压往复透射率取决于:(B)A、界面两侧介质的密度B、界面两侧介质的声阻抗和入射角度C、界面两侧介质的声速D、界面两侧的波型9、以下关于压电材料性能参数的叙述,错误的是:(B)A、机电耦合系数K越大,转换效率越高B、频率常数Nt越大,制做给定频率探头所用的晶片越薄C、压电应变常数d33越大,发射性能越好D、压电电压常数g33越大,接收性能越好10、以下关于盲区与始脉冲宽度的叙述,错误的是:(D)A、盲区的大小与仪器的阻塞时间和始脉冲宽度有关;
8、B、盲区与灵敏度有关;C、盲区与晶片的机械品质因子和发射强度有关;D、实际测试中,始脉冲宽度等
此文档下载收益归作者所有