第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排

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1、第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办。会议将就我国半导体物理的最新研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流，并邀请著名专家学者作专题报告,欢迎全校师生参加!第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排时间事项地点9月8日（星期六）8：30-8：45开幕式等逸夫科学馆报告厅9：00-12：00各分会场报告(见附件)逸夫科学馆13：30-17：45各分会场报告(见附件)逸夫科学馆21：00-21：30物理学会半导体物理专业委员会会

2、议萃英大酒店805会议室9月9日（星期日）8：30-12：00各分会场报告(见附件)逸夫科学馆14：00-16：30各分会场报告(见附件)逸夫科学馆16：30-17：00闭幕式逸夫科学馆报告厅*详见各分会场日程A会场会议主题：半导体自旋电子学地点：逸夫科学馆报告厅日期：9月8日时间报告人报告内容9：00-9：45郑厚植（半导体研究所）高密度自旋极化电子气的物理性质9：45-10：30褚君浩（上海技术物理所）10：30-10：45休息10：45-11：30吴明卫（中国科学技术大学）SpinDynamicsinSem

3、iconductorNanostructures11：30-12：00张荣（南京大学）宽禁带半导体自旋电子材料研究12：00-13：30午餐13：30-14：00张凤鸣（南京大学）Hole-mediatedFerromagnetisminPolycrystallineSi1-xMnx:BThinFilms14：00-14：30沈波（北京大学）GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质14：30-15：00许小红（山西师范大学）磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜15：00-15：15休息15：

4、15-15：45颜世申（山东大学）宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究15：45-16：15常凯（半导体研究所）NonlinearRashbamodel:SpinrelaxationandspinHallcurrent16：15-16：45姬扬（半导体研究所）二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究16：45-17：15赵建华（半导体研究所）Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长17：15-17：45葛世慧（兰州大学）过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性以上为特邀报告日

5、期：9月9日时间报告人报告内容8：30-8：55徐兰君（上海技术物理所）二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合*8：55-9：20甘华东（半导体研究所）极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关*9：20-9：45杨学林（北京大学）MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性*9：45-10：10刘朝星（清华大学）二维空穴气中电流诱导的自旋极化*10：10-10：25休息10：25-10：50赖天树（中山大学）GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究*10：50-11：05赖天

6、树（中山大学）室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究11：05-11：20邓加军（中科大）(Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究11：20-11：35刘计红（河北师范大学）自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响11：35-11：50董衍坤（河北师范大学）自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输运的影响12：00-14：00午餐14：00-14：25安兴涛（河北师范大学）铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质*14：25-14：50王靖（清华大学）自旋流的法拉第

7、旋转测量*14：50-15：05王玮竹（半导体研究所）Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控15：05-15：20石瑞英（四川大学）稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究15：20-15：35休息15：35-16：00陶志阔（南京大学）MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究*16：00-16：15甘华东（半导体研究所）(Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源16：15-16：30甘华东（半导体研究所）(Ga,Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象*邀请报告B会场会议主题：宽、窄禁带半

8、导体地点：逸夫科学馆201日期：9月8日时间报告人报告内容9：00-9：25陈弟虎（中山大学）离子束合成表层、埋层-SiC薄膜制备及性质研究*9：25-9：50刘斌（南京大学）P型AlxGa1-xN薄膜光电学性质研究*9：50-10：05李青民（西安理工大学）HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC10：05-10：20李连碧（西安理工大学）SiC衬底上SiCGe