低温多晶硅行业研究报告

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1、低温多晶硅基础资料一、名词释义1．LTPS——LowTemperaturePoly-Silicon，低温多晶硅，它是多晶硅技术的一个分支。对LCD显示器来说，采用多晶硅液晶材料有许多优点，在多晶硅技术发展的初期，为了将玻璃基板从非晶硅结构（a-Si）转变为多晶硅结构，就必须借助一道激光退火（LaserAnneal）的高温氧化工序，此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。与传统的高温多晶硅相比，低温多晶硅虽然也需要激光照射工序，但它采用的是准分子激光作为热源，整个处理过程是在摄氏500-600度以

2、下完成，普通的玻璃基板也可承受。2．a-Si——amorphoussilicon，又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。3．ppi——pixelsperinch，每英寸所拥有的像素数目。所表示的是每英寸所拥有的像素（pixel）数目。因此ppi数值越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像。当然，显示的密度越高，拟真度就越高。4．AMOLED——ActiveMatrix/OrganicLightEmittin

3、gDiode，是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。5．TFT——ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。6．LCD——LiquidCrystalDisplay，即液晶显示器。LCD的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变

4、方向，将光线折射出来产生画面。7．AMFPD——ActiveMatrixFlatPanelDisplay，即有源矩阵平板显示器，该类器件主要特征就是在显示屏的每一个像素点上都有一个电开关器件，如三极管开关器件，用以控制每一个像素点液晶的开关状态，如TFTLCD、AMOLED等。8．CGSi——ContinuousGrainSilicon，即连续粒状结晶硅，是SHARP公司的一项专利技术工艺，基于此技术开发的TFT屏幕，具有比LTPS更佳的电子迁移特性，能超越CRT实现高图像分辨率。它允许在基底玻

5、璃上直接形成具有良好性能（速度）的半导体器件以及LCD矩阵的有源晶体管，从而降低整个显示器的元件数量、尺寸和重量。二、低温多晶硅简述低温多晶硅的全称是“LowTemperaturePoly-Silicon（LTPS，多晶硅又简称为p-Si，下同）”，这项技术是指在低于600摄氏度的温度下，在玻璃基板甚至塑料基板上生成多晶硅薄膜的工艺，它是多晶硅技术的一个分支。对显示器制造来说，采用多晶硅材料有许多优点，如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低等等。在多晶硅技术发展的初期，为了将玻璃基板从非晶硅结构（

6、a-Si）转变为多晶硅结构，就必须借助一道激光退火（LaserAnneal）的高温氧化工序，此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。众所周知，普通玻璃在此高温下就会软化熔融，根本无法正常使用，只有石英玻璃才能够经受这样的高温处理。而石英玻璃不仅价格昂贵且尺寸都比较小，无法作为显示器的面板，厂商很自然选择了廉价的非晶硅材料（a-Si），a-SiTFT技术也成为了现在的主流技术。不过，业界并没有因此放弃努力，发展低温多晶硅技术成为共识，在经过多年的努力之后，低温多晶硅终于逐步走入现实。与传统的高温多

7、晶硅相比，低温多晶硅虽然也需要激光照射工序，但它采用的是准分子激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后，就会转变成为多晶硅结构。由于整个处理过程是在摄氏500-600度以下完成，普通的玻璃基板也可承受，这就大大降低了制造成本（与高温多晶硅使用石英基板相比较）。而除了制造成本降低外，低温多晶硅技术的优点还体现在以下几个方面：　　1．电子迁移速率更快电子迁移率以“cm²/V-sec”为单位，指的是每秒钟

8、每伏特电压下电子的运动范围大小。传统的a-Si非晶硅材料，电子迁移率指标多数都在0.5cm²/V-sec以内，而P-Si多晶硅的电子迁移率可达到200cm²/V-sec，整整是非晶硅材料的400倍之多。由于在该项指标上多晶硅材料占据绝对优势，使得多晶硅LCD的反应速度极快，体现在显示器产品中便是响应时间可以做到更短，更好满足大屏幕LCD的实用需求。另外，对于在业界中堪称“下一代的完美显示技术”AMOLED（ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode）即有源矩阵有