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1、简论一种X波段波导缝隙天线的设计与仿真的论文 摘要:给出了波导缝隙天线设计步骤,设计一种x波段波导缝隙天线,计算了天线口径、波导数量、缝隙的单元数量、宽度、位置等参数,设计半高波导宽臂耦合谐振缝魔t和差器,在此基础上完成了天线设计。仿真结果表明,当中心频率为12ghz时,和波束增益为28.9db,第一副瓣电平为-22.2db,所设计的天线形式可获得较好的和、差波束方向图、电压驻波比和增益等参数。 关键词:波导缝隙天线;低副瓣;辐射缝隙;和差器 designandsimulationofberofet
2、ersofapertureincludingnumber,couplingresonantaperturemagictparatorulationresultsindicatethatgainofthesumbeamis28.9dbandthefirstsidelobeis-22.2dbat12ghz.theantennacanattaingoodparameterssuchassumandsubtractpattern,voltagestand 波导缝隙天线在设计方面具有较大的灵活性,可调整和优化的参数多
3、,较易实现高效率、超低副瓣和高增益,还具有承受功率高,结构紧凑等优点,得到了广泛的研究和应用[1-2]。 波导缝隙平板阵列天线主要由辐射阵面、馈电波导及和差器等三部分组成,本文对此分别进行了阐述,计算了天线口径相关参数,设计了和差器和馈电网络,并对设计结果进行了仿真计算。 1天线辐射阵面设计 1.1天线口径相关参数计算 首先根据天线的波束宽度和副瓣电平要求计算口径尺寸d,然后把d代入增益g公式,看是否满足增益要求;最后根据增益和波束宽度,对天线口径进行修正,使其同时符合两者要求[3-4]。 单脉冲天
4、线的口径一般分成四个象限,每个象限构成一个独立的子阵,每个子阵是90°的扇形,无法实现理想的泰勒分布,因此设计时要留出适当的余量。最大副瓣电平为r0,天线主瓣峰值电平与最大副瓣电平的电压比值为: η=10-r010 (1) 选择泰勒圆口径分布,波束宽度因子为: β0=(arcchη)2-arcchη22 波束展宽因子不仅与副瓣电平有关,而且与等副瓣电平的副瓣数n有关[1]: σ=μna2+(n-0.5)2 式中:a=arcoshη/π;μn为第一类一阶贝
5、塞尔函数的第n个根。天线的波束宽度为: 2θ0.5=σβ0λd (4) 阵面直径确定后,根据波导尺寸计算阵面波导数。阵面圆心为扇面的公共点,波导的排列相对阵面中心对称。半个阵面上平行放置的波导数为: n≤d2(a+2t) (5) 式中:a为波导宽边内尺寸;t为波导壁厚。 1.2阵面缝隙单元数计算 对于圆形阵列天线,组成阵面的波导长度各不相同。进行阵面设计时,先对各根波导容许的极限长度做出计算,以考虑每根波导上缝隙的数量。从中心算起,每根波导的极限长度为: li=r2-[i(a+
6、2t)]2 (6) 式中:li代表由中心算起第i根波导的长度,i=1,2,…,r为阵面半径。 辐射缝隙开在波导宽壁上,为纵向并联缝隙。为保证谐振条件,各缝隙应同相,这要求交叉位于波导中心线两侧的相邻缝隙间距d=λg/2,λg为波导波长。 采用谐振缝隙阵,第一条和最末一条缝隙在距中心为λg/4处短路。长度为li的波导,缝隙数为: ni≤2(li-2t)λg (7) 1.3辐射阵面设计 子阵面辐射中心选在离阵面中心为(0.3～0.4)r的范围内,接近45°角斜方向上的那个缝隙位置。辐射
7、中心的缝隙场强是子阵面中最强的。计算场分布时,将辐射中心位置定为坐标原点。 子阵的辐射中心定为原点,距原点最远的缝的距离为半径aa,根据场强分布曲线,求出每条缝隙对应的场强值,确定其偏离波导中心线的位置。圆口径泰勒场分布[2]: f(p)=∑n-1m=0fmj0(μmp)[j0(μmπ)]2,p=πρaa (8) 式中: f(m)=1,m=0 -j0(μmπ)∏n-1n=11-μmzn2∏n-1n=1(n≠m)1-μmμn2,1≤m≤n-1; μm为j1(πx)的第m个根;z
8、n=±σ[a2+(n-05)2]1/2。 一旦阵面的口径场分布曲线确定,阵面上各缝隙的电导值也就确定了。平板缝隙阵主要通过控制阵面上各缝隙的电导值来实现对阵面场分布特性的控制。 1.4辐射缝隙参数确定 为使每根辐射波导与自由空间良好匹配,应使∑nj=1gij=c。其中,gij表示第i根波导上第j条缝隙的电导值。可根据对阵面上各缝隙所要求的场强值求其归一化电导值: gij=
