浅谈电气自动化在电力系统中的应用

《浅谈电气自动化在电力系统中的应用》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、浅谈电气自动化在电力系统中的应用浅谈电气自动化在电力系统中的应用　摘要：本文针对全控型电力电子开关、变换器电路、交流调速控制、通用变频器、单片机、集成电路及工业控制计算机的发展几方面论述了电气自动化在电力系统中的应用。　　关键词自动化变换器交流工业控制　　　　电气自动化专业在我国最早开设于50年代，名称为工业企业电气自动化。据教育部最新公布的本科专业设置目录，它属于工科电气信息类。新名称为电气二程及其自动化或自动化。　　随着电力电子技术、微电子技术沟迅猛发展，原有的电力传动（电子拖动）控制的概念已经不能充分概抓现

2、代生产自动化系流中承担第一线任务的全部控制设备。它的研究对象已经发展为运动控制系统，下面仅对有关电气自动化技术的新发展作一些介绍。　　1全控型电力电子开关逐步取代半控型晶闸管　　50年代末出现的晶闸管标志着运动控制的新纪元。它是第一代电子电力器件，在我国至今仍广泛用于直流和交流传动控制系统。由于目前所能生产的电流／电压定额和开关时间的不同，各种器件各有其应用范围。　　GTR的二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题，使得人们把主要精力放在根据不同的特性设计出合适的保护电路和驱动

3、电路上，这也使得电路比较复杂，难以掌握。　　GTO是一种用门极可关断的高压器件，它的主要缺点是关断增益低，一般为4~5，这就需要一个十分庞大的关断驱动电路，且它的通态压降比普通晶闸管高，约为2V~4.5V，开通di/dt和关断dv/dt也是限制GTO推广运用的另一原因，前者约为500A/μs，后者约为500V/μs，这就需要一个庞大的吸收电路。　　由于GTR、GTO等双极性全控性器件必须要有较大的控制电流，因而使门极控制电路非常庞大，从而促进厂新一代具有高输人阻抗的MOS结构电力半导体器件的一切。它的

4、开关时间很快，安全工作区十分稳定，但是P一MOSFET的通态电压降随着额定电压的增加而成倍增大，这就给制造高压P一MOSFET造成了很大困难。　　IGBT是P一MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输人阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。其开关速度比P一MOSFET低，但比GTR快；其通态电压降与GTR相拟约为1.5V一3.5V，比P一MOSFET小得多，其关断存储时间和电流卜降时间为别为0.2μs一0.4μs和0.2μs一1.5μs，因而有较高的工作频率，它具

5、有宽而稳定的安个工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。　　MOS控制晶闸管（MCT）是一种在它的单胞内集成了MOSFET的品闸管，利用MOS门来控制品闸管的开通和关断，具有晶闸管的低通态电压降，但其工作电流密度远高IGBT和GTR，在理论上可制成几千伏的阻断电压和几十千赫的开关频率，且其关断增益极高。　　IGBT和MGT这一类复合型电力电子器件可以称为第三代器件。在模块化和复合化思路的基础上，其发展便是功率集成电路PIC（Podash;51代表的8位机虽然仍占主导地位，但功能简单，指令集短小，可靠性高，保密性高

6、，适于大批量生产的PIC系列单片机及GMS97C（二系列单片机等正在推广，而且单片机的应用范围已开始扩展至智能仪器仪表或不太复杂的工业控制场合以充分发挥单片机的优势另外，单片机的开发手段也更加丰富，除用汇编语言外，更多地是采用.L语言。　　在集成电路方面，需要重点说明的是集成模拟乘法器和集成锁相环路及集成时基电路在自动控制系统中运用很厂。在电机控制方面，还有专用于产生P控制信号的HEF4752、TL494、SLE4520和MA818等应用也相当广泛。　　在逻辑电路方面，值得注意的是用专用芯片（ASIC）进行逻辑设

7、计。ASIC（Appilca-tionSpecificl，IntegratedCircuit）中有编程逻辑阵列PLD（ProgrammableLogicDevice）。这些特点使得GAL在降低系统造价，减少产品体积和功耗，提高可靠性和稳定性及简化系统设计，增强应用的保密性方面有广阔的发展产景，特别适合新产品研制及DMA控制和高速图表处理，其上述交流的控制最终用工业控制计算机完成。