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1、何谓DUV？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。I-line与DUV主要不同处为何?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。DUV则用在先进制程的Criticallayer上。何为ExposureField?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper?其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去何谓S
2、canner?其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：ExposureField大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。何为Retic
3、le?答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。何为Pellicle?答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。何为OPC光罩？答：OPC(OpticalProximityCorrection)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩。何为PSM光罩？答：PSM(PhaseShiftMask)不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都
4、应用在contactlayer以及较小CD的Criticallayer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。何為CRMask？答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical的layer光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA,0037代表产品号，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？答：2人，为了避免产生更多的
5、Particle和静电而损坏光罩。存取光罩的基本原则是什幺？答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出MaskRoom,最多只准保持2个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放如何避免静电破坏Mask？答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。何谓Track?答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。In-lineTrack机台有几个Coater槽，
6、几个Developer槽？答：均为4个机台上亮红灯的处理流程？答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时CallE.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。何谓WEE?其功能为何?答：WaferEdgeExposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将WaferEdge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。何为PEB？其功能为何？答：PostExposureBake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除s
7、tandingwaves）PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMICFAB内用的为负光阻。RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。何谓Overlay?其功能为何?答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的
