工厂安全与生产管理

工厂安全与生产管理

ID:9338822

大小:6.08 MB

页数:170页

时间:2018-04-28

工厂安全与生产管理_第1页
工厂安全与生产管理_第2页
工厂安全与生产管理_第3页
工厂安全与生产管理_第4页
工厂安全与生产管理_第5页
资源描述:

《工厂安全与生产管理》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、厂务安全与生产管理厂务安全与生产管理顾晓清整理编写2013年1月-166-厂务安全与生产管理目录第一章绪论1第二章半导体工艺简介2第三章厂务管理53.1半导体制造的结构组织及生产管理模式53.1.1半导体制造的体系简介53.1.25S管理113.2生产管理计划153.2.1什么是生产计划153.2.2为什么要做生产管理计划173.2.3如何做好生产计划管理183.2.4工厂建设193.3产品的质量管理323.3.1质量体系323.3.2TQC333.3.3生产中影响质量的因素34第四章安全生产管理364.1安全

2、生产管理的基础知识364.1.1内容及重要性364.1.2方针与目标管理374.2安全的生产管理与劳动保护404.2.1安全生产管理法规及安全教育404.2.2职业病防治与事故414.3安全生产管理的制约因素454.3.1人的因素454.3.2环境的因素46第五章E.H.S系统控制495.1E.H.S管理体系495.1.1E.H.S的目标和方针495.1.1E.H.S管理审核505.2环境与健康515.2.1环境污染515.3安全与健康56第六章安全事故的发生与处理596.1火灾的处置办法606.1.1火灾的防

3、护606.1.2火灾发生时的处理措施636.1.3安全防火制度696.1.4灭火原理及基本知识736.2化学药品泄漏826.3有毒有害气体的泄露1486.3.1气体的分类1486.3.2半导体使用的气体152-166-厂务安全与生产管理6.3.3气体的基本特征1586.3.4气体泄漏检测器1636.3.5除害装置1636.4其它事故的防治164附录其他事故的处置方法图167-166-厂务安全与生产管理-166-厂务安全与生产管理第一章绪论纵观人类社会发展的文明史,一切生产方式的重大变革都是有新的科学发明而引起的

4、,科学技术作为革命的力量,推动着社会向前发展。18世纪60年代到19世纪40年代,伽利略的自由落体定律、开普勒的行星运动和牛顿的力学体系建立了科学准备。我们经历了两次产业技术革命,分别是有纺织机引起的动力需求导致了瓦特发明蒸汽机,从而触发了第一次产业革命,第二次是西门子利用电磁铁制成了实用发电机,并于1875年应用于工业,引发了以发电机化为代表的第二次技术革命。当前我们正在经历一场新的技术革命,即第三次技术革命。虽然第三次技术革命包含了新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航空航天技术和电子信息等等,但影响最大、

5、渗透力最强、最具有新技术革命代表性的乃是以微电子半导体技术为核心的电子信息技术。微电子技术发展的理论基础是19世纪到20世纪30年代期间建立起来的现代物理学。这期间的重要发现包括1895年德国科学家伦琴发现的X射线、1896年贝克勒尔发现的放射性、1898年居里夫人发现的镭、1905和1915年爱因斯坦提出的狭义相对论和广义相对论等。正是这一系列发明和发现揭示了微观世界的基本规律,导致了海森堡、薛定谔等建立起量子力学的理论体系,为现代电子信息技术革命奠定了理论基础。微电子学是信息领域的重要基础学科,也是边缘性很

6、强的学科,其中包括半导体器件物理、集成电路工艺以及IC设计、测试等多方面的内容。本书的目的有几个方面:首先是针对半导体工厂,在生产中所面临的一些不可避免的威胁到工作人员身体健康,甚至是生命安全的一些事故的阐述,进而提出一些注意事项及处置方法;其次,本书的内容包括在半导体工厂中的一些制度规范。书本的目的是为了帮助工人养成良好、规范的作业习惯,使生产更安全有效。最后,本书简单介绍了半导体工艺方面的知识,了解半导体工厂中的各个生产环节,以及各种设备的使用规范。-166-厂务安全与生产管理第二章半导体工艺简介制造集成电

7、路所用的半导体材料,目前主要是硅和砷化镓等单晶体,其中以硅居多,硅器件占全世界销售的所有半导体器件总量的90%以上,因此本章所讲述的都是硅集成电路制造工艺。通常,人们将集成电路制造分成前道工序和后道工序,前道工序是指从元始晶片开始到中测之间的所有制造工艺,包括3类技术:图形转换技术(光刻、刻蚀等);薄膜制备技术(外延、氧化、气相淀积等);掺杂技术(扩散和离子注入)。后道工序则指从中测开始直到集成电路加工完成出场之间的所有工序。本章只对几种基础工艺进行简单介绍。一、氧化硅片如果暴露在空气中,在常温下它的表面会生长

8、出二氧化硅薄膜。由于温度不高,硅片表面氧化速率很慢。在现在工艺中,氧化是必不可少的工艺技术,这种氧化不是常温的自然氧化而是高温下进行的,生长的氧化硅层在集成电路中有极其重要的作用。高温常用的氧化方法主要有三种,分别是:干氧氧化(DryOxidation),水汽氧化(VapourOxidation),湿氧氧化(WetOxidation)。采用干氧法生长的SiO2薄膜,其质量最好,但生长速

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。