hpf法焦炉煤气脱硫工艺的生产实践

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1、第1期(总第158期)煤化工No.1(TotalNo.158)2012年2月CoalChemicalIndusFeb.2012HPF法焦炉煤气脱硫工艺的生产实践赵春辉,王新雷,王瑞,苏华(宝钢集团新疆八一钢铁公司炼铁分公司焦化分厂,新疆乌鲁木齐830022)摘要针对八钢焦化厂采用HPT法焦炉煤气脱硫工艺发现和存在的问题进行了分析,讨论了脱硫关键指标的控制和优化,总结了调节和稳定生产运行的方法和经验。关键词HPF,脱硫塔,挥发氨,再生塔,硫泡沫,离心机,硫膏文章编号:1005~9598(2012)一O1—0055—04中图分

2、类号:TQ546.5文献标识码:B宝钢集团新疆八一钢铁公司焦化分厂(以下简称循环喷洒除去管壁上的沉积物,多余冷凝液回送机械八钢焦化分厂)老区新建1套焦炉煤气脱硫装置,采化澄清槽。冷却后的煤气进入脱硫塔,与塔顶喷淋下用国内焦化行业比较成熟的氨法HPF脱硫工艺。焦炉来的脱硫液逆流接触,吸收煤气中的硫化氢。脱硫液煤气处理能力80000m3/h,脱硫前煤气中Hs质量浓从脱硫塔底流出,进入反应槽,在反应槽内停留一段度2g/m3~4g/m。,HCN质量浓度1.0g/m3~1.5g/m。,脱时间后,由脱硫液循环泵送人再生塔底部环管,与压

3、硫后煤气中H2S质量浓度<0.2g/m3,HCN质量浓度缩空气混合鼓入。溶液在塔内得以氧化再生,从塔顶0.5g/m。。此装置自2010年6月19日投产以来,脱硫经液位调节器自流回脱硫塔循环使用。浮于再生塔顶效果良好,针对运行中发现的问题,对工艺操作进行部的硫磺泡沫,自流入硫泡沫槽,经搅拌后,上部清液了不断的总结和优化。流入废液槽,下部硫泡沫经硫泡沫泵送至脱硫离心机生产硫膏。硫泡沫在卧螺离心机的离心力作用下,分1脱硫工艺简介离出含硫质量分数≥70%、含水质量分数≤30%的硫由鼓冷来的焦炉煤气首先进入横管间接式预冷膏,自下料口

4、进入硫膏房,装袋外运。剩余的废液进入塔,被冷却到28℃左右,顶部设有冷凝液喷洒装置,废液槽,装车外运,其工艺流程示意图如图1所示。图1l玎法煤气脱硫工艺流程示意图收稿日期:201卜1O一29作者简介:赵春辉(1976一),男,河南南阳,工程师,学士,2011年本科毕业于辽宁科技大学冶金工程专业,现从事煤焦化生产和技术管理工作,E-mail:zhaoch@bygt.tom.cn。一56煤化工2012年第1期脱硫副反应在生成各类氨盐时需消耗氨,再生时放散2工艺指标的控制和优化尾气会带走氨,废液排放及含水硫膏中带有氨。因此,2.

5、1喷淋密度、液气比和循环液流量脱硫液在脱硫过程中损失的活性氨主要靠煤气与溶保持适宜的喷淋密度和液气比,控制循环液流量液的吸收平衡和浓氨水来补充。八钢焦化分厂老区1在1100m。/h~1300m3/hl1]。对一定组分的溶液来说,系统煤气含氨质量浓度正常只有2g/L~3g/L,脱硫硫容是一定的,所以只有足够的溶液循环量,才能保液中游离氨含量偏低,因此需要根据循环液的碱度,证填料不出现“干区”。若液体分布不均匀,甚至有的适时补人蒸氨系统生产的浓氨水。填料没有液体湿润,脱硫效率就会大幅度下降,而且2.6预冷塔煤气出口温度和脱硫液

6、温度得不到湿润的填料表面会有硫泡沫积累,阻力增加,温度是影响脱硫效率最关键的因素,因为吸收严重时无法运行。从喷淋密度来说,脱硫塔要求喷淋Hs的过程是放热反应,过高不利于脱硫效率的提高。密度40m。/m2·h-50m。/m2·h,该装置采用DN7000mm降低煤气温度,可增加脱硫液中挥发氨的溶解度,为的脱硫塔,因此其满负荷喷淋量在l500m3/h左右,了增加脱硫液中氨含量,要求温度尽可能低,最好使考虑到一般生产时煤气量在40000m3/h,因此其实际预冷塔出口煤气温度控制在25℃~30℃,使吸收过循环量要小。另外,液气比在1

7、2L/ma以上,可使传质程进行完全。界面迅速更新,有利于脱硫效率的提高。2.7硫泡沫分离操作2.2空压气压力和流量硫泡沫在再生塔内停留时间超过30min,就会开空压气压力稳定在0.5MPa~0.6MPa,流量控制始萎缩、变小甚至破碎,硫泡沫上黏附的单质硫颗粒在1200m。/h~l700mVhl2]。足够的氧气是脱硫再生就可能沉淀下去。在实际生产中,由于诸多因素,往往必需的条件,该装置采用DN5000mm的再生塔,因在工艺条件发生变化、硫泡沫突然增多时,不能及时此其空气流量应在1500ms/h左右。若吹风强度小,导出,甚至人

8、为减少硫泡沫的溢出量,造成硫泡沫大不利于硫泡沫浮选和分离。但吹风强度太高,液面翻量进入脱硫塔,影响脱硫塔的操作,严重时会造成填腾严重,再生塔上部的硫泡沫易被气流打碎,不利于料堵塞,塔阻上升。衡量硫泡沫分离效果主要看溶液分离,形不成泡沫层,单质硫难以聚合。同时风量过大中悬浮硫的质量浓度,一般要求在0.5g

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