正文描述:《覆铜板在nacl溶液中的腐蚀电化学行为》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、物理化学学报(WuliHuaxueXuebao)1342ActaPhys.鄄Chim.Sin.,2007,23(9):1342-1346September[Article]www.whxb.pku.edu.cn覆铜板在NaCl溶液中的腐蚀电化学行为鄢赵岩林昌健李彦杜荣归王景润(厦门大学化学化工学院,固体表面物理化学国家重点实验室,福建厦门361005)摘要:应用线性极化、循环伏安(CV)及电化学阻抗谱(EIS)等电化学方法对覆铜板(CCL)和纯铜的腐蚀电化学行为进行了研究和比较.结果表明,覆铜板的耐蚀性弱于纯铜,其阳极溶解过程与纯铜有所不
2、同;在较低电位下,CCL以铜的氯化络合物的形式溶解,CuCl-的扩散为该过程的控制步骤;随着电位的升高,腐蚀产物CuCl在电2极表面形成疏松多孔的膜,Cl-在膜中的传输成为溶解过程的控制步骤.电极表面CuCl膜的消长过程是产生感抗弧的主要原因.关键词:覆铜板;循环伏安;电化学阻抗谱;腐蚀机理中图分类号:O646ElectrochemicalCorrosionBehaviorofCopperCladLaminateinNaClSolution鄢ZHAOYanLINChang鄄JianLIYanDURong鄄GuiWANGJing鄄Run(S
3、tateKeyLaboratoryofPhysicalChemistryofSolidSurfaces,CollegeofChemistryandChemicalEngineering,XiamenUniversity,Xiamen361005,FujianProvince,P.R.China)Abstract:Comparingwithpurecopper,thecorrosionbehaviorofcoppercladlaminate(CCL)inNaClsolutionwasstudiedbyusinglinearpolarizat
4、ion,cyclicvoltammetry(CV)andelectrochemicalimpedancespectroscopy(EIS).ItwasshownthatCCLhadadifferentcorrosionbehaviorandshowedalowercorrosionresistancecomparedwiththepurecopper.Atlowpolarizationpotential,CCLdissolvesthroughtheformationofCuCl-2,whichmaybeadeterminedstepint
5、heanodicprocess.Andwhenthepolarizationpotentialincreased,aporousfilmcontainingCuClformedontheCCLsurface,andthetransportationofCl-inthefilmbecamethecontrollingstepinthecorrosionprocess.AninductiveloopatlowfrequencywasobservedintheEISmeasurement,whichwasattributedtothemodul
6、ationofCuClfilmduetothecompetitionbetweendissolutionandgrowthprocessesonCCLsurface.KeyWords:Coppercladlaminate;Cyclicvoltammetry;Electrochemicalimpedancespectroscopy;Corrosionmechanism微电子技术是经济、国防和社会发展的重要技导电性,良好的化学稳定性及力学性能,在电子材料术基础,金属腐蚀已经成为影响电子器件和设备可中占有非常重要的地位.覆铜箔层压板,简称覆铜板
7、靠性的重要因素之一.据统计,由于腐蚀造成的电子(coppercladlaminate,CCL)是制造印制电路板器件的失效已占到电子设备总失效的20豫以上.特(printedcircuitboard,PCB)的基材,是电子信息产业别是在海洋和工业污染的环境中,微电子设备的腐的基础材料.覆铜板广泛用于家用电器、计算机、通蚀失效现象尤为严重.铜及其合金材料具有优异的信设备、仪器仪表、控制设备和航空航天等领域.Received:April20,2007;Revised:May30,2007;PublishedonWeb:July22,2007.E
8、nglisheditionavailableonlineatwww.sciencedirect.com鄢Correspondingauthor.Email:cjlin@xmu.edu.cn;T
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