2、800-850850-9002辐照区间(W/m)图1 南京地区年太阳辐射情况坎德拉学院晶硅组件弱光性能的表现形式3634323028262422Rsh=220.65920Rsh=141.151Voc(V)18Rsh=122.77616Rsh=95.9541412Rsh=33.97710Rsh=22.41886420501001502002503003504004505005506006507002太阳辐照度(W/m)参考文献:Fig.3 弱光下多晶组件的Voc随太阳辐照的EFFICIENCY vs. IRRADIANCE CHARACTERIZATION OF PV 变化趋势(南
3、京地区)MODULES REQUIRES ANGLE-OF-INCIDENCE AND SPECTRAL CORRECTIONS坎德拉学院•晶硅组件弱光性能介绍1•晶硅组件弱光性能影响因素(Rsh和Rs)2•PVsyst晶硅组件Pan参数优化(弱光性能)3坎德拉学院PVsyst中的单二极管模型及相关参数(1)式中I为光生电流(A),I为L0二极管反向饱和电流(A),n为二极管理想因子。相关研究成果表明(Mermoud和Lejeune,2010;Eikelboomet al., 1997):组件并联电阻值和入射光强有一定的关系,当入射光强降低后,并联电阻随光强成指数变化,公式(2):