《电路与电子技术》考试卷

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1、《电路与电子技术》期末考试试题（A卷）班级姓名学号得分一、选择题（每题2分,共10分）1、某三极管的，那么该三极管的A、1B、10C、99D、102、某放大器在不接负载时的输出电压是3V，接入1千欧的负载后输出电压为2.5V，该放大器的输出电阻为千欧。A、2B、0.1C、0.2D、0.43、某放大器的电压放大倍数为1000，则相当于dB.A、1000B、40C、60D、804、说明下图元件的性质：A、负载性B、电源性C、电容性D、电感性5、当信号频率等于放大电路的或时，增益下降。A、2dBB、3dBC、4dBD、5dB二、判断题（每题2分，共10分）1、在一定的条件下，硅管的漏电流比锗管

2、的漏电流大，所以硅管的应用比锗管更广泛。（）2、任何闭合回路的所有电压之和为零。（）3、任何电路的节点数等于网孔数。（）4、在N型半导体中如果掺入足量的三价元素，可以将其改型为P型半导体。（）5、射极输出器输出电压从发射极输出，所以是共射放大器。（）三、填空题（每题1分，共28分）1、电路从结构来看，可由、、三个最基本的部分组成。2、P型杂质半导体中多数载流子是，少数载流子是，而N型杂质半导体中多数载流子是，少数载流子是。可向本征半导体中加入价元素得到P型杂质半导体，加价元素得到N型杂质半导体。3、PN结的击穿可分为和，PN结的电容效应按其产生的原因可分为和。PN结的基本特性是，三极管的

3、基本特点是具有。4、三极管的输出特性可分为四个区域，即、、和，从三极管的输入特性可看出硅管的门坎电压为伏，而锗管为伏。5、三极管有三个极：、和，两个结：和。三极管具有电流放大作用的外部条件为：加上正向电压，加上反向电压。三、简答题（每题4分,共12分）1、简述三极管的内部工艺要求及三极管电流放大的实质。2、简述分压式偏置共射放大器稳定静态工作点的原理。3、简述电路过度过程的换路定则。四、计算题（每题10分，共40分）1、试用叠加定理和戴维南定理分别计算：试计算电阻上的电压U。图一图二2、用三要素法计算：如图所示电路原处于稳态，已知。在时闭合，在时闭合，求闭合后的电压。3、已知下图三所示电

4、路中晶体管的，,.1）现已测得静态管压，估算约为多少千欧。2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻为多少千欧。4、在如图三所示的电路中，晶体管的。1）估算静态工作点。2）画出微变等效电路，计算和。图三《电路与电子技术》期末考试试题（B卷）班级姓名学号得分一、选择题（每题2分，共10分）1、某三极管的99，那么该三极管的A、1B、10C、0.1D、0.012、某放大器在不接负载时的输出电压是3V，接入1千欧的负载后输出电压为2.5V，该放大器的输出电阻为千欧。A、2B、0.1C、0.2D、0.43、当信号频率等于放大电路的或时，放大器放大倍数的值下降中频段时的倍。A、0.5

5、B、0.7C、0.8D、0.64、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的A、输入电阻大B、输出电阻大C、输入电阻小D、输出电阻小5、说明下图元件的性质：A、负载性B、电源性C、电容性D、电感性二、判断题（每题2分，共10分）1、在N型半导体中如果掺入足量的五价元素，可以将其改型为P型半导体。（）2、流入任何节点电流之和等于流出该节点电流之和。（）3、在一定的条件下，硅管的漏电流比锗管的漏电流大，所以硅管的应用比锗管更广泛。（）4、金属导体是单极性导体，三极管和场效应管是单极性元器件。（

6、）5、射极输出器输出电压从发射极输出，所以是共射放大器。（）三、填空题（每题1分，共28分）1、三极管有三个极：、和，两个结：和。三极管具有电流放大作用的外部条件为：加上正向电压，加上反向电压。2、场效应管是一种控制器件，按结构可分为和，按工作性能可分为和，按基片（衬底）材料不同可分为和两种。场效应管有三个极为、和。由于它们都是以半导体的某一种多数载流子来实现导电，所以称为管。3、在分析电路功率计算时，当计算元件功率大于零时，该元件为性；反之，元件为性。4、PN结的击穿可分为和，PN结的电容效应按其产生的原因可分为和。PN结的基本特性是，三极管的基本特点是具有。5、从三极管的输入特性可看

7、出硅管的门坎电压为伏，而锗管为伏。一、简答题（每题4分，共10分）1、简述PN结的单向导电性原理。2、简述多级放大器的零点漂移现象。3、简述多级放大器各种耦合方式的特点。二、计算题（每题10分，共40分）1、试用叠加定理和戴维南定理分别计算：试计算12欧电阻上的电流I。图一图二2、用三要素法计算：如图所示电路原处于稳态，已知。在时闭合，在时闭合，求闭合后的电压。3、已知下图所示电路中晶体管的，，.1）现已测得静态管压，估算约为多少千