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时间:2018-04-22
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1、《电路与电子技术》期末考试试题(A卷)班级姓名学号得分一、选择题(每题2分,共10分)1、某三极管的,那么该三极管的A、1B、10C、99D、102、某放大器在不接负载时的输出电压是3V,接入1千欧的负载后输出电压为2.5V,该放大器的输出电阻为千欧。A、2B、0.1C、0.2D、0.43、某放大器的电压放大倍数为1000,则相当于dB.A、1000B、40C、60D、804、说明下图元件的性质:A、负载性B、电源性C、电容性D、电感性5、当信号频率等于放大电路的或时,增益下降。A、2dBB、3dBC、4dBD、5dB二、判断题(每题2分,共10分)1、在一定的条件下,硅管的漏电流比锗管
2、的漏电流大,所以硅管的应用比锗管更广泛。()2、任何闭合回路的所有电压之和为零。()3、任何电路的节点数等于网孔数。()4、在N型半导体中如果掺入足量的三价元素,可以将其改型为P型半导体。()5、射极输出器输出电压从发射极输出,所以是共射放大器。()三、填空题(每题1分,共28分)1、电路从结构来看,可由、、三个最基本的部分组成。2、P型杂质半导体中多数载流子是,少数载流子是,而N型杂质半导体中多数载流子是,少数载流子是。可向本征半导体中加入价元素得到P型杂质半导体,加价元素得到N型杂质半导体。3、PN结的击穿可分为和,PN结的电容效应按其产生的原因可分为和。PN结的基本特性是,三极管的
3、基本特点是具有。4、三极管的输出特性可分为四个区域,即、、和,从三极管的输入特性可看出硅管的门坎电压为伏,而锗管为伏。5、三极管有三个极:、和,两个结:和。三极管具有电流放大作用的外部条件为:加上正向电压,加上反向电压。三、简答题(每题4分,共12分)1、简述三极管的内部工艺要求及三极管电流放大的实质。2、简述分压式偏置共射放大器稳定静态工作点的原理。3、简述电路过度过程的换路定则。四、计算题(每题10分,共40分)1、试用叠加定理和戴维南定理分别计算:试计算电阻上的电压U。图一图二2、用三要素法计算:如图所示电路原处于稳态,已知。在时闭合,在时闭合,求闭合后的电压。3、已知下图三所示电
4、路中晶体管的,,.1)现已测得静态管压,估算约为多少千欧。2)若测得和的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻为多少千欧。4、在如图三所示的电路中,晶体管的。1)估算静态工作点。2)画出微变等效电路,计算和。图三《电路与电子技术》期末考试试题(B卷)班级姓名学号得分一、选择题(每题2分,共10分)1、某三极管的99,那么该三极管的A、1B、10C、0.1D、0.012、某放大器在不接负载时的输出电压是3V,接入1千欧的负载后输出电压为2.5V,该放大器的输出电阻为千欧。A、2B、0.1C、0.2D、0.43、当信号频率等于放大电路的或时,放大器放大倍数的值下降中频段时的倍。A、0.5
5、B、0.7C、0.8D、0.64、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小,这说明A的A、输入电阻大B、输出电阻大C、输入电阻小D、输出电阻小5、说明下图元件的性质:A、负载性B、电源性C、电容性D、电感性二、判断题(每题2分,共10分)1、在N型半导体中如果掺入足量的五价元素,可以将其改型为P型半导体。()2、流入任何节点电流之和等于流出该节点电流之和。()3、在一定的条件下,硅管的漏电流比锗管的漏电流大,所以硅管的应用比锗管更广泛。()4、金属导体是单极性导体,三极管和场效应管是单极性元器件。(
6、)5、射极输出器输出电压从发射极输出,所以是共射放大器。()三、填空题(每题1分,共28分)1、三极管有三个极:、和,两个结:和。三极管具有电流放大作用的外部条件为:加上正向电压,加上反向电压。2、场效应管是一种控制器件,按结构可分为和,按工作性能可分为和,按基片(衬底)材料不同可分为和两种。场效应管有三个极为、和。由于它们都是以半导体的某一种多数载流子来实现导电,所以称为管。3、在分析电路功率计算时,当计算元件功率大于零时,该元件为性;反之,元件为性。4、PN结的击穿可分为和,PN结的电容效应按其产生的原因可分为和。PN结的基本特性是,三极管的基本特点是具有。5、从三极管的输入特性可看
7、出硅管的门坎电压为伏,而锗管为伏。一、简答题(每题4分,共10分)1、简述PN结的单向导电性原理。2、简述多级放大器的零点漂移现象。3、简述多级放大器各种耦合方式的特点。二、计算题(每题10分,共40分)1、试用叠加定理和戴维南定理分别计算:试计算12欧电阻上的电流I。图一图二2、用三要素法计算:如图所示电路原处于稳态,已知。在时闭合,在时闭合,求闭合后的电压。3、已知下图所示电路中晶体管的,,.1)现已测得静态管压,估算约为多少千
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