《半导体器件原理》考试大纲 -1

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1、复旦大学2013年入学研究生《半导体器件原理》专业课程考试大纲《半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。考试题型：选择题、名词解释、推导题、计算题总分：150分一．半导体的电子状态1.半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质2.半导体中的电子状态和能带3.载流子在外场下的运动规律4.杂质和缺陷能级二．半导体的载流子统计1.状态密度和统计分布函数2.本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计三．半导体的载流子输运1.载流子

2、的散射2.迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系3.强电场下的输运4.霍耳效应四．非平衡载流子1.非平衡载流子的直接复合与间接复合2.陷阱效应3.载流子的扩散运动、双极扩散4.连续性方程五．pn结、金半接触以及异质结1.平衡pn结的特性2.pn结的电流-电压特性3.pn结的势垒电容与扩散电容4.pn结的频率特性和开关特性5.pn结的击穿6.金半接触能带图以及电流-电压特性7.欧姆接触《半导体器件原理》考试大纲第2页共2页8.异质结能带图以及二维电子气六．双极型晶体管的直流特性1.双极型晶体管的基本原理2.双极型晶体管的

3、直流特性及其非理想现象3漂移晶体管的直流特性4.双极型晶体管的反向特性5.Ebers-Moll方程七．双极型晶体管的频率特性与开关特性1.低频小信号等效电路2.放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数3.高频等效电路4漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理5.电荷控制理论与双极型晶体管开关时间八．半导体表面与MOS结构1.半导体表面空间电荷层的性质2.实际Si-SiO2界面3.理想与实际MOS结构的C-V特性九．MOS场效应晶体管的直流特性1.MOSFET的结构和工作原理2.MOSFET的阈值电压以及影响因素3.M

4、OSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）4.MOSFET的直流参数5.MOSFET的击穿特性6.MOSFET的小尺寸效应原理7.载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性8.MOSFET的按比例缩小规律十．MOSFET的频率特性与开关特性1.MOSFET的交流小信号等效电路2.MOSFET的高频特性3.常见MOS倒相器及其开关特性《半导体器件原理》考试大纲第2页共2页