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时间:2018-04-18
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1、酷睿双核革命英特尔32纳米Corei3首测关于眼前这块32nm工艺的Clarkdale处理器的消息,早在2008年Intel春季IDF之前就已经传开来了。当时针对新一代处理器架构Nehalem,Intel将会拿出Bloomfield、Lynnfield以及Havendale三款产品,其中采用CPU+GPU整合方案的Havendale自然是最受我们关注的。不过随后由于Havendale的Uncore部分出了一些问题,也被迫取消,但是同时我们得到的好消息则是,新的CPU+GPU方案将会被命名为Clarkdale,并加入32nm工艺。32nm工艺、Westmere架构,Clarkd
2、ale尽揽热门优势 Bloomfield、Lynnfield以及Clarkdale便组成了即将来到我们面前的Corei7、Corei5、Corei3产品线,虽然之前的烟雾弹让大家以为要到2010年才能看到32nm的Clarkdale。不过想想Intel的Tick-Tock战略就知道,今年又到了Intel更新处理器生产工艺的时候,首先采用32nm的Clarkdale不现身又更待何时呢。 当然Clarkdale的出现的重要意义除了领先业界的32nm工艺之外,更承担着将酷睿双核这个市场上最为成功的系列产品进一步升级的重要作用。虽然Lynnfield核心的Corei5有Corei
3、7约95%的性能水平,但是四核的本质仍让人不敢高攀。目前双核已经占据了全球处理器产品的绝对多数份额,可以说无论任何新架构新工艺的产品,双核才是用户最为期盼的产品。32nm工艺、新架构的酷睿双核,这是我们想要向读者传达Clarkdale的两大价值所在。关于32nm工艺不得不说的事情 我们知道,目前许多半导体厂商的45nm甚至40nm工艺并不是采用High-K栅介质的技术,而Intel在2007年45nm发布时拿出的High-K技术肯定是未来半导体工艺发展方向,相信全球有制造能力的半导体生产线都将在32nm时使用该类技术,且必须使用该类技术。我们现在已经看到,现有非Intel技
4、术的45nm甚至40nm在成品的功耗控制方面大大落后于Intel的45nm技术,而今天我们在Intel32nm技术上将再次验证HighK带来的低功耗的神奇。 32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。Intel对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。在45纳米制程中,高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中,此氧化层的厚度仅为0.9纳米,而栅极长度则缩短为30纳米。 晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32纳米制程采用了与Intel45nm制程一样的置换金属栅极工艺流程,这样有利于Intel充分利用
5、现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路(IC)尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。 由于氧化层厚度减小,栅极长度缩短,晶体管的性能提高了22%以上。这些晶体管的驱动和栅极长度创造了业内最佳纪录。此外,漏电电流也得到了优化。与45纳米制程相比,NMOS晶体管的漏电量减少5倍多,PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进,电路的尺寸和性能均可得到显著优化。除此之外,32纳米还采用了第四代应变硅技术,用于提高晶体管的性能——这样一来,Intel便可争取更多的时间和机会进行更多技术创新。We
6、stmere架构是什么? 如同Intel发布45nm工艺时带来的Penryn架构一样,这次32nm的产品架构被命名为Westmere。事实上它可以看成是大家熟知的Nehalem架构的改进版,其主要特点是将Nehalem架构中的内置内存控制器(IMC)剥离出来,与GPU、PCI-E通道控制器集成在同一个die中,再与处理器内核以QPI总线连接,并使用LGA1156封装在一起,形成这个完整的CPU+GPU方案。这张图片大家应该相当熟悉了 不过值得一提的是,Westmere架构中的“北桥”芯片仍然是45nm工艺生产的,只有处理器核心部分采用32nm生产,这似乎仍然是Intel芯
7、片组工艺总落后处理器一代的老路。不过也无伤大雅,能够将整合GPU的北桥和CPU完全集成在一起才是最具革命意义的。 多媒体指令集,一直是Intel的拿手好戏,不过在Westmere中Intel终于加入了AES硬件指令集,类似的指令集在VIAC7处理器时就有加入。大家应该看过不少VIAC7或Nano的评测,在AES相关测试项目中,普普通通的一颗C7也可以超越Corei7。而现在,Gulftown等Westmere处理器加入了AES硬件指令集,在该方面的性能将会有进一步提升。 此外Clarkdale仍然
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