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1、晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟.txt这是一个禁忌相继崩溃的时代,没人拦得着你,只有你自己拦着自己,你的禁忌越多成就就越少。自卑有多种档次,最高档次的自卑表现为吹嘘自己干什么都是天才。本文由啊呀娃娃chen贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。堡堕!Q丝二塑堑CNIl一2034/T实验技术与管理ExperimentalTechnology第24卷第12期2007年12月V01.24No.12Dee.2007andManagement非晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟姚若河,郑佳华(华南理工大学物理科学与技
2、术学院,广东广州510640)摘要:应用AMPS一1D软件对非晶硅太阳能电池的-,一l,特性进行了模拟研究,重点模拟分析了i层厚度对P—i-n结构非晶硅太阳能电池特性参数的影响。关键词:太阳能电池;非晶硅;数值模拟中图分类号:TP39文献标识码:B文章编号:1002-4956(2007)12-0067-02Numericalsimulationofi—layersthicknessona—Si:HP—i-nsolarcelldevicesYAORuo—he,ZhengJia—hua(SchoolofPhysics,SouthChinaUniversityofTec
3、hnology,Guangzhou510640,China)Abstract:TheAMPS一1D(analysisofmicroelectronicandphotoniccharacteristicsstructures)wasusedontomodulethelightJ-Vofa—Si:HP—i-nsolarcelldevices.Theeffectsofthei-layersthicknessthelightJ—Vcharacteris—ticshavebeenexamined.Keywords:solarcell;a—Si:H;numericMsimul
4、ation太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽用之不竭的自然能源,将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础。半导体太阳能电池利用半导体的光生伏特效应直接将太阳能转化为电能,技术比较成熟。在硅系列电池中,由于非晶硅对阳光的吸收系数高,活性层只需1¨m厚,材料的需求量大大减少;沉积温度低,可直接沉积在玻璃、不锈钢和塑料膜等廉价的衬底材料上;生产成本低,具有单片电池面积大、适于工业化大规模生产等优点而受到重视。形成P—i-n结构。图1中,衬底为n型非晶硅,顶层为P型的非晶SiC材料,中间缓冲层为本征非晶硅,主要结构参数和模拟参数见表1。图1P·i-11结构非晶硅
5、太阳能电池结构示意图P-i·n结构非晶硅太阳能电池的模型参数参数P层(a_SiC)i层(a-si)1.801.724.0011.9表11模型结构与模拟原理1.1器件结构典型的非晶硅太阳能电池结构如图1所示。非晶硅中由于原子排列缺少结晶硅的规则性,缺陷多,因此,要在P层与n层之间加入本征层i层,收稿日期:2007—02—28作者简介:姚若河(196l一),男,广东省揭阳市人。博士,教授。从事半导体器件及物理的教学和科研工作.n层(a_Si)1.80迁移率带隙/eV光学带隙/eV电子亲和能/eV相对介电常数占有效态密度Nc/(cm。3eV一)Nv/(cm一3eV一1)
6、1.961.903.9211.91.724.0011.92.5×10202.5×10202.5X10202.5×10202.5×10202.5×1020万 方数据实验技术与管理续表参数电子迁移率p。/(cm2V一18—1)空穴迁移率/.z。/(cm2V一8—1)价带尾态特征能量迁移率ED/eV导带尾态特征能量迁移率E^/eV掺杂浓度/cmqGdo/(cm。3eV一1)G。/(cm一3eV一1)EooN/eV0.2其中,L为电子的电流密度,有L(菇)=舭。ni层(a-Si)n层(a-Si)P层(a-SiC)f兰孕1,E州为电子的准费米能级;矗为空穴的电O.52l流密
7、度,Jp(石)=舭,凡(警),EEp.为空穴的准费米能级;Go,(茗)为电子空穴对的光生效率,为位置菇的函数。运用数值计算方法求解方程(1)、(2)、(3)中的砂(茗)、p(x)、n(x)进而求出各特性参数。0.050.050.07O.03O.032模拟结果分析N^=3×10”1.0×10191.0×10191.241.143×10TM1.0×10191.0×1019ND=1×10191.0×10191.0×10191.121.023×10Is对P—i.n结构非晶硅太阳能电池模拟时,光照条件为AMl.5,100mW/cm2,光从P型非晶硅层入射到器件中。为了研究i
8、层厚度对器
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