基于cmos的非门异或门电路设计

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1、盐城工学院2015~2016学年第1学期集成电路课程设计报告题目：《基于CMOS的非门异或门电路设计》姓名：陈胜学号：1210705102班级：B电科121学院：信息工程学院教师：高直目录摘要1Abstract11.设计要求22.设计原理23.设计思路33.1非门电路33.2异或门电路43.3时间计划44.非门异或门电路设计54.1原理图设计54.2仿真分析65.版图设计85.1PMOS管版图设计85.2NMOS管版图设计105.3非门异或门的版图设计105.4总版图DRC检查126.心得体会147.课程设计总结148.

2、参考文献15附录：161.非门电路原理图162.异或门电路原理图163.NMOS管版图174.PMOS管版图175.非门电路版图186.异或门电路版图18摘要本文从设计到仿真以及后面的版图制作等主要用到了Multisim软件和L-Edit软件等。设计的题目是基于CMOS的二输入异或门电路，电路设计的思路是使用一个二输入的或非门加一个与或非门来实现二输入异或门的功能，其中电路设计部分用的是Multisim软件，仿真部分主要做的是时序仿真，后面的版图制作用的是L-Edit软件，由于版图制作只使用了一个L-Edit软件，所以版

3、图完成之后只做了一个基本的DRC检查。 关键词：CMOS门电路、或非门、与或非门、异或门AbstractIn this paper, from design to production simulation and the back of the map, mainly use theMultisim software and L-Edit software, etc. Design the topic is based on CMOS two exclusive-orgate, circuit design train

4、 of thought is to usea two input nor gate and anand-or-notgatetorealizetheinputexclusive-or the function of the door, the circuit design part with Multisim software, main do is timing simulation, simulation of the back of the map production using L-Edit software,

5、 due to the map making only USES a L - Edit software, so the layout is compled only done a basic DRC check.Keywords: CMOS gate, NORgate, AND-OR-NOTgate,Exclusive-ORgate221.设计要求1、要求：用MOS器件设计非门异或门电路。2、内容：用Multisim软件进行电路原理图的绘制并仿真。3、用L-edit软件进行电路板图的制作及DRC的检查。2.设计原理非门

6、有一个输入端和一个输出端，输入端为A，输出端为Y，当输入A为高电平时输出Y为低电平，当输入A为低电平时输出Y为高电平，即Y=。真值表如下：AY0110表2-1非门真值表图2-1非门逻辑符号22异或门有两个输入端和一个输出端，输入端为A和B，输出端为Y，当输入A为高电平B为低电平和A为低电平B为高电平时输出Y为高电平，当输入A为高电平B为高电平和A为低电平B为低电平时输出Y为低电平，即Y=A⊕B。真值表如下：ABY000011101110表2-2异或门真值表也就是说，如果A、B两个值不相同，则异或结果为1。如果A、B两个值

7、相同，异或结果为0。图2-2异或门逻辑符号3.设计思路3.1非门电路22CMOS非门即反相器是由一个N管和一个P管组成的，P管源极接Vdd,N管源极接GND，若输入IN为低电平，则P管导通，N管截止，输出OUT为高电平。若输入IN为高电平，则N管导通，P管截止，输出OUT为低电平。从而该电路实现了非的逻辑运算，构成了CMOS反相器。CMOS反相器的电路图如图3-1所示。低电平输出特性：当输出为低电平时，即Vo=VoL时，反相器的P沟道管截止、N沟道导通。高电平输出特性：当输出为高电平时，即Vo=VoH时，反相器的N沟道管

8、截止、P沟道导通。图3-1CMOS反相器电路图还有就是CMOS电路的优点：（1）微功耗。CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。（2）抗干扰能力很强。输入噪声容限可达到VDD/2。（3）电源电压范围宽。多数CMOS电路可在3~18V的电源电压范围内正工作。（4）输入阻抗高。（5）负载能力强。CMOS电路可以带50个