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时间:2018-04-08
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1、存储器是计算机的主要组成部件,它主要是用来存储信息的。存储器的类型有很多,按存储介质分为半导体存储器、磁存储器和光存储器。半导体存储器芯片内包含大量的存储单元,每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分,并能存储一位二进制信息。本章只讨论半导体存储器。一、存储器的分类: 1.按工作方式不同:分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。2.按制造工艺不同:RAM、ROM又可分为双极型半导体存储器和单极型MOS存储器。 MOS型RAM又可分为静态RAM和动态RAM两种。RAM中任何存储单元的内容均能被
2、随机存取。它的特点是存取速度快,一般用作计算机的主存。 ROM中的内容是在专门的条件下写入的,信息一旦写入就不能或不易修改。根据信息的写入方式不同,ROM可以分为掩膜ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电可擦除可编程ROM(E2PROM)四种。在正常工作时,信息只能读出不能写入,通常用于存放固定信息。 掩膜ROM中的内容是在出厂前已写好的,用户不能改写;PROM可由用户以专用设备将信息写入一次,写后不能改变;EPROM可由用户以专用设备将信息写入,然后用紫外线照射擦除信
3、息;E2PROM采用电气方法擦除信息。 半导体存储器的分类情况如图5-1所示。 二、随机存取存储器(RAM) RAM既可向指定单元写入信息又可从指定单元读出信息,且读写时间与信息所处位置无关。RAM根据制造工艺的不同可分为双极型RAM和MOS型RAM,双极型RAM较MOS型RAM来说,速度高、功耗大、集成度低。在断电后,RAM中信息将消失。1.随机存取存储器(RAM)的结构 RAM的一般结构形式包括存储矩阵、地址译码器和读写控制器三部分,并通过数据输入/输出线,地址输入线片选控制线和读写控制
4、线与外界发生联系。 如图5-2所示: 解释:存储矩阵由若干存储单元组成,一个存储单元称为存储器的一个字,它所含有的基本存储电路(二进制数)的个数称存储器的字长。存储器中的每个字都对应唯一的地址编号。外界的地址经地址译码器译出后的输出线称“字线”,它用来对存储矩阵中的存储单元进行选通。每个存储单元中的基本存储电路通过各自的连线与读/写控制器相连,该连线称存储器的“位线”。对于有n位地址和m位字长的存储器来说,共有2n×m个存储电路,即存储容量是2n×
5、m位二进制数位。读写过程:n位地址经地址译码器译出后,使2n条字线中的一条有效,这条有效的字线选中存储矩阵中的一个存储单元。在片选信号CS=1,=1,被选中单元的m个基本存储电路通过m根位线向外界读出存储单元的内容;当CS=1,=0时,由外界通过m根位线向选中的存储单元写入新内容。当CS=0时,RAM禁止读写操作。2.静态RAM(SRAM) 能存储一位二进制数的基本单元称基本存储电路。在电源供电的情况下,所存的信息能稳定保持,不需要进行定时“刷新”的基本存储电路称为静态存储电路,
6、由它构成的RAM称静态RAM。静态存储电路有双极型和MOS型两种,这里以MOS为例。电路说明:MOS型静态RAM的基本存储电路如图5-3所示,它由虚线框内的6个NMOS管组成。T1、T3两个反相器交叉耦合构成一个基本RS触发器,用于存储一位二进制信息,T2、T4是负载管,Q和是触发器的一对互补输出。 若Q=1,=0,则表示存储的信息是1,若Q=0,=1,表示存储的信息是0。T5、T6受行选线Xi控制,当Xi=1时,T5、T6导通,触发器中存储的信息Q和分别送
7、到位线D和。T7、T8受列选线Yi控制,当Yi=1时,T7、T8导通,位线D和上的信息分别被送到输出线I/O和,从而使触发器的Q和与外界数据线相通。读写过程:读操作时,使行选线Xi、列选线Yi均为1,触发器存储的信息由Q和经D和从I/O和读出。写操作时,使行选线Xi、列选线Yi均为1,同时将要写入的数据加在I/O和上(要写1,使I/O=1、=0;要写0,使I/O=0,=1),经D和、Q和加到T3、T1的栅极上,使触发器存入相应的信息。信息一旦写入,只要不断电,触发器保持不变。3.动态RAM(DRAM)
8、动态RAM的基本存储电路是利用MOS管栅-源间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。因为电容存在漏电阻,为避免信息的丢失,必须给电容补充漏掉的电荷,这一操作称为“刷新”。 常见的MOS存储电路有单管电路、三管电路和四管电路。目前大容量的动态RAM大多采用单管MOS动态存储电路。 电路如图5-4所示:( Cs用于存储信息,T为门控管。)读写过程:
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